第三章 组成原理.ppt

二模块交叉存储器举例 3.5 并行存储器 相联存储器 原理：按内容存取的存储器，可以选择记录（关键字）的一个字段作为地址 组成：见下一页图 主要用途：在虚拟存储器中存放段表、页表和快表，也可以作Cache的行地址 3.5 并行存储器 3.6 Cache存储器 1、基本原理 （1）功能：解决CPU和主存之间的速度不匹配问题 一般采用高速的SRAM构成。 CPU和主存之间的速度差别很大采用两级或多级Cache系统 早期的一级Cache在CPU内，二级在主板上 现在的CPU内带L1 Cahe和L2 Cahe 全由硬件调度，对用户透明 3.6 Cache存储器 3.4 只读存储器和闪速存储器 1、掩模ROM掩模ROM的阵列结构和存储元 3.4 只读存储器和闪速存储器 2、掩模ROM的逻辑符号和内部逻辑框图 3.4 只读存储器和闪速存储器 3、可编程ROM EPROM叫做光擦除可编程可读存储器。它的存储内容可以根据需要写入，当需要更新时将原存储内容抹去，再写入新的内容。 现以浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM为例进行说明，结构如右图所示。 3.4 只读存储器和闪速存储器 现以浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM为例进行说明，结构如图(a)所示，图(b)是电路符号。 若在漏极D端加上约几十伏的脉冲电压，使得沟道中的电场足够强，则会造成雪崩，产生很多高能量电子。此时，若在G2栅上加上正电压，形成方向与沟道垂直的电场，便可使沟道中的电子穿过氧化层而注入到G1栅，从而使G1栅积累负电荷。 由于G1栅周围都是绝缘的二氧化硅层，泄漏电流极小，所以一旦电子注入到G1栅后，就能长期保存。 3.4 只读存储器和闪速存储器 当G1栅有电子积累时，该MOS管的开启电压变得很高，即使G2栅为高电平，该管仍不能导通，相当于存储了“0”。反之，G1栅无电子积累时，MOS管的开启电压较低，当G2栅为高电平时，该管可以导通，相当于存储了“1”。图(d)示出了读出时的电路，它采用二维译码方式：x地址译码器的输出xi与G2栅极相连，以决定T2管是否选中；y地址译码器的输出yi与T1管栅极相连，控制其数据是否读出。当片选信号CS为高电平即该片选中时，方能读出数据。 3.4 只读存储器和闪速存储器 这种器件的上方有一个石英窗口，如图(c)所示。当用光子能量较高的紫外光照射G1浮栅时，G1中电子获得足够能量，从而穿过氧化层回到衬底中，如图(e)所示。这样可使浮栅上的电子消失，达到抹去存储信息的目的，相当于存储器又存了全“1”。 3.4 只读存储器和闪速存储器 这种EPROM出厂时为全“1”状态，使用者可根据需要写“0”。写“0”电路如图(f)所示，xi和yi选择线为高电位，P端加20多伏的正脉冲，脉冲宽度为0.1～1ms。EPROM允许多次重写。抹去时，用40W紫外灯，相距2cm，照射几分钟即可。 3.4 只读存储器和闪速存储器 E2PROM存储元 EEPROM，叫做电擦除可编程只读存储器。其存储元是一个具有两个栅极的NMOS管，如图(a)和(b)所示，G1是控制栅，它是一个浮栅，无引出线；G2是抹去栅，它有引出线。在G1栅和漏极D之间有一小面积的氧化层，其厚度极薄，可产生隧道效应。如图(c)所示，当G2栅加20V正脉冲P1时，通过隧道效应，电子由衬底注入到G1浮栅，相当于存储了“1”。利用此方法可将存储器抹成全“1”状态。 3.4 只读存储器和闪速存储器 这种存储器在出厂时，存储内容为全“1”状态。使用时，可根据要求把某些存储元写“0”。写“0”电路如图(d)所示。漏极D加20V正脉冲P2,G2栅接地，浮栅上电子通过隧道返回衬底，相当于写“0”。E2PROM允许改写上千次，改写（先抹后写）大约需20ms，数据可存储20年以上。 E2PROM读出时的电路如图(e)所示，这时G2栅加3V电压，若G1栅有电子积累，T2管不能导通，相当于存“1”；若G1栅无电子积累，T2管导通，相当于存“0”。 3.4 只读存储器和闪速存储器 4、闪速存储器 FLASH存储器也翻译成闪速存储器，它是高密度非失易失性的读/写存储器。高密度意味着它具有巨大比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据在没有电源的情况下可以长期保存。总之，它既有RAM的优点，又有ROM的优点，称得上是存储技术划时代的进展。 3.4 只读存储器和闪速存储器 FLASH存储元在EPROM存储元基础上发展起来的，由此可以看出创新与继承的关系。 如右图所示为闪速存储器中的存储元，由单个MOS晶体管组成，除漏极D和源极S外，还有一个控制栅和浮空栅。 3.4 只读存储器和闪速存储器 “0”状态：当控制栅加上足够的正电压时，浮空栅将储存许多电子带负