鸡西大学单结晶体管触发电路课程设计.docVIP

鸡西大学 单结晶体管触发电路课程设计 院系：电信系 班级：08机电4班 姓名：吕长明 学号：04040804021 指导教师：王梦文 鸡西大学 单结晶体管简介和应用 单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼。 单结晶体管电路及原理 利用单结晶体管(又称双基极二极管)的负阻特性和RC的充放电特性，可组成频率可调的自激振荡电路。 V6为单结晶体管，其常用的型号有BT33和BT35两种，由等效电阻V5和C1组成组成RC充电回路，由C1-V6-脉冲变压器组成电容放电回路，调节RP1即可改变C1充电回路中的等效电阻。 图11-1 单结晶体管触发电路原理图 工作原理简述如下： 由同步变压器副边输出60V的交流同步电压，经VD1半波整流，再由稳压管V1、 V2进行削波，从而得到梯形波电压，其过零点与电源电压的过零点同步，梯形波通过R7及等效可变电阻V5向电容C1充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压UP时，单结晶体管V6导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出脉冲。 同时由于放电时间常数很小，C1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压Uv，使V6关断，C1再次充电，周而复始，在电容C1两端呈现锯齿波形，在脉冲变压器副边输出尖脉冲。在一个梯形波周期内，V6可能导通、关断多次，但只有输出的第一 个触发脉冲对晶闸管的触发时刻起作用。充电时间常数由电容C1和等效电阻等决定，调节RP1改变C1的充电的时间，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的 鸡西大学 移相控制。单结晶体管触发电路的各点波形如图所示。 电位器RP1已装在面板上，同步信号已在内部接好，所有的测试信号都在面板上引出。 图11-2 单结晶体管触发电路各点的电压波形(α=90°) 单结晶体管的外形很象晶体三极管，它也有三个电极，称为发射极e，第一基极b1，第二基极b2，又叫双基极二极管。因为只有一个PN结所以又称为单结晶体管。外形及符号如图(a)、(b)所示。图中发射极箭头指向b1，表示经PN结的电流只流向b1极。单结管的等效电路如图(C)所示，rb1表示e与b1之间的等效电阻，它的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。两个基极之间的电阻用Rbb表示，即：Rbb=Rb1+Rb2，Rb1与Rbb的比值称为分压比h=Rb1/Rbb，h一般在0.3～0.8之间。 单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极 b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。 （2）分压比η 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。 （5）发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。 鸡西大学 （6）峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流 单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。 本电路为单结晶体管触发点路。 V1—V5，R1组成桥式整流削波电路，为后续电路提供与焦炉电压同时过零（同步）的梯形波电压。 V6，R2—R4及C组成单结晶体管震荡电路，由R4输出所需要的脉冲信号触发晶闸管。 R2，RP及C组成RC充电电路，当C两端的电压达到V6的峰值电压VP时，单结晶体管导通；C和E-B1间形成放电回路，在R4的上形成脉冲电压，当C两端的电压随着放电电压下降到谷点电压UV时，单结晶体管截至，R4上的电压为零，完成一次震荡。 所需挂件及附件 单结晶体管的工作原理和特性曲线 当b1—b2．间加电源VBB，且发射极开路时，A点电位及基极b2的电流为： 鸡西大学 式中η称为单结晶体管的分压比，其数值主要与管子的结构有关，一般在0.5～0.9之间。 图3 单结晶体管特性曲线的测试 当e一b1电压Ueb1为零或(Ueb1 UA)时，二极管承受反向电压，发射极的电流Ie为二极管的反向电流，记作IEO。 当Ueb1增大，使PN结正向电压大于开启电压时，则IE变为正向电流，从发射极e流向基极b1,