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材 料 常 用 制 备 方 法 一．晶体生长技术 1 ．熔体生长法【melt growth method】（将欲生长晶体的原料熔化，然后让熔体达到一 定的过冷而形成单晶） 1.1 提拉法 特点：a. 可以在短时间内生长大而无错位晶体 b.生长速度快，单晶质量好 c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产 1.2 坩埚下降法 特点：装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔融，当坩 埚下降通过熔点时，熔体结晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿坩埚平移，至熔 体全部结晶。 1.3 区熔法 特点：a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动，在加热体所处区域，原料变成熔体，该熔 体在加热器移开后因温度下降而形成单晶 b.随着加热体的移动，整个原料棒经历受热熔融到冷却结晶的过程，最后形成单 晶棒 c.有时也会固定加热器而移动原料棒 1.4 焰熔法 特点：a.能生长出很大的晶体（长达 1m） b.适用于制备高熔点的氧化物 c.缺点是生长的晶体内应力很大 1.5 液相外延法 优点：a.生长设备比较简单； b.生长速率快； c.外延材料纯度比较高； d.掺杂剂选择范围较广泛； e.外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低； f.成分和厚度都可以比较精确的控制，重复性好； 操作安全。 缺点：a.当外延层与衬底的晶格失配大于 1%时生长困难； b.由于生长速率较快，难得到纳米厚度的外延材料； c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。 2. 溶液生长法【solution growth method】(使溶液达到过饱和的状态而结晶) 2.1 水溶液法 原理：通过控制合适的降温速度，使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度，从而结晶 2.2 水热法【Hydrothermal Method】 特点：a. 在高压釜中，通过对反应体系加热加压（或自生蒸汽压），创造一个相对高温 高压的反应环境，使通常难溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、进而析出晶体 b. 利用水热法在较低的温度下实现单晶的生长，从而避免了晶体相变引起的物 理缺陷 2.3 高温溶液生长法（熔盐法） 特点：a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂 b.常用溶剂： 液态金属 液态 Ga （溶解As） P 、Sn 或 Zn （溶解S、Ge、GaAs） KF （溶解BaTiO ） 3 Na B O （溶解Fe O ） 2 4 7 2 3 c.典型温度在 1000 C 左右 d.利用这些无机溶剂有效地降低溶质的熔点，能生长其他方法不易制备的高熔点 化合物，如钛酸钡 BaTiO 3 二．气相沉积法 1. 物理气相沉积法 (PVD) 【Physical Vapor Deposition】 1.1 真空蒸镀【Evaporation Deposition】 特点：a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面； b.常用镀膜技术之一； c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜； d.具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜 分类：电阻加热法、电子轰击法 1.2 阴极溅射法（溅镀）【Sputtering Deposition】 原理：利用高能粒子轰击固体表面（靶材），使得靶材表面的原子