电路原理课件第3次课.pptVIP

* * * ◆ 内部结构：发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 三极管的放大作用 b e c N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 ◆ 外部条件：发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 发射结正偏(对于NPN型晶体三极管即发射结的P区上连正电压，从而P-N正偏）???? 集电结反偏（对于NPN型晶体三极管即集电结的N区上连正电压，从而N-P反偏） N（－） P（＋） N（＋） P（－） Uc＞Ub＞Ue 图 1 - 30 三极管的三种连接方式 ui + - uo + - ui + - ui + - uo + - uo + - 三极管的三种连接方式 b e c N N P UBB Rb UCC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBn 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBn ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 1.3.3 三极管的放大过程 1. 载流子的传输过程 发射区发射电子形成IE 。 IEn，IEp (2) 基区扩散和复合电子。 IBn b e c N N P UBB Rb UCC IE 集电结