射频元器件及电路模型资料.ppt

31 § 2.4 场效应晶体管 3. 噪声系数分析 下图是 GaAs MESFET 的噪声等效电路，它可用来计算 GaAs MESFET 的噪声系数性能。 最小噪声系数： GaAs MESFET 的噪声等效电路 2 2 min m i T T 2 (1 ) 2 (1 )( ) 1 f P f F PR C g PR C f R f ? ? ? ? ? 其中： 2 nd 0 m 4 i kT fg P ? ? 1 ds m ( ) P R g ? ? 2 2 gs 2 ng 0 m 4 W C R i kT f g ? ? * nd nd 2 2 ng nd i gi C i gi ? 32 § 2.4 场效应晶体管 2.4.2 高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管（ HEMT ）具有很高的频率特性和很低 的噪声性能，这主要是因为其产生的二维电子气（ 2DEG ）有很 高的迁移率。这种器件能用于微波和毫米波功率应用中，且在 高于 X 波段时其性能要优于 MESFET 。 AlGaAs/GaAs HEMT 的横截面结构及其导带外形结构 33 § 2.4 场效应晶体管 1. HEMT 的直流工作特性 HEMT 的输出特性与 GaAs MESFET 的输出特性非常相似，如 图所示其输出特性可分为线性区域和饱和区域两部分。 HEMT 的输出特性 在线性区域内： DS DS 2D V I q n W s ? ? 在饱和区域内： DS 2D eff I qn v W ? 1 第 2 章 射频元器件及电路模型 本章重点介绍了电感器、电容器、电阻器等无源集总元件 的物理结构、射频特性及等效电路模型；射频二极管、双 极型晶体管、场效应晶体管的等效电路模型、模型与应用 ；并对比分析了双极型和场效应两类晶体管的频率、功率 和噪声性能。 教学 重点 教学 重点 掌握：双极型晶体管、场效应晶体管的物理结构、射频特 性等效电路模型。 了解：电感器、电容器、电阻器等无源集总元件的物理结 构、射频特性及等效电路模型。 熟悉：各类射频二极管的等效电路模型、功能与应用。 能力 要求 2 本章目录 ? 第一节 无源集总元件 ? 第二节 射频二极管 ? 第三节 双极型晶体管 ? 第四节 场效应晶体管 ? 第五节 双极型器件和场效应器件的比较 3 知识结构 射 频 元 器 件 及 电 路 模 型 双极型器件和场 效应器件的比较 双极型器件和场效应器件的功率与线性度性能 无源集总元件 射频二极管 双极型晶体管 场效应晶体管 无源元件的射频特性 异质结双极型晶体管 电阻器 电感器 电容器 肖特基二极管 PIN 二极管 变容二极管 IMPATT 二极管 耿氏二极管 其它二极管 MESFET 工作特性 高电子迁移率晶体管 PHEMT 技术 金属氧化物场效应管 CMOS 技术 BiCMOS 技术 双极型晶体管工作特性 双极型器件和场效应器件的 ft 和 fmax 双极型器件和场效应器件的噪声性能 4 § 2.1 无源集总元件 2.1.1 电阻器 1 、 MMIC 中的电阻器 单片射频 / 微波集成电路中，电阻器主要通过在半导体基片的 掺杂区域沉积一层阻性材料如 NiCr 、 TaN 金属膜或多层多晶硅等进 行生产，其结构及 RF 等效电路如下图所示： 电阻器的结构图 电阻器的简化 RF 等效电路 5 § 2.1 无源集总元件 2 、 HMIC 中的电阻器 混合集成电路中，常见的电阻器有线绕电阻、碳质电阻、 金属膜电阻和薄膜片状电阻等类型。其中，由于薄膜片状电 阻具有体积小、可以作为贴片器件等优点，使得它广泛应用 于现今的 RF 和 MW 电路中。 贴片电阻的结构示意图 表贴电阻器的等效电阻 6 § 2.1 无源集总元件 2.1.2 电容器 电