Q_321001LXB 04-2020砷化镓太阳电池芯片.pdf

L53 Q 扬州乾照光电有限公司企业标准 Q/321001LXB 04—2020 代替 Q/321001LXB 04—2017 砷化镓太阳电池芯片 Gallium arsenide solar cell chip 2020-04-28 发布 2020-05-06 实施 扬州乾照光电有限公司 发 布 Q/321001LXB 04—2020 前 言 本标准是对Q/321001LXB 04—2017 《砷化镓太阳电池芯片》的修订，本次修订如下： ——3.2.1 修订“图1芯片的型号命名方式”。 ——3.2.2 “表1类别代号，表2电池结数，表3结构代码，表4尺码代码，表5效率代码”修订为“表 1衬底类型，表2衬底属性，表3外延结构，表4子电池序号，表5工艺代码，表6尺寸代码，表7 效率代码”。 ——4.2 修订“表5表面质量更新”。 ——4.3.2 表9和4.3.3 表10中的条件删除电池尺寸要求。 ——5.2 表面质量“删除与4.2 表面质量重复部分”。 ——5.2.2 “放置在显微镜承载盘，切换至10×5 倍率(显微镜)下目测表面质量”修订为“放置在 显微镜承片盒，目视检查表面质量，缺陷无法确认时，则使用50倍率金相显微镜确认”。 ——6.2.3 光电转换效率 “聚光芯片按尺寸代码为1010的芯片检验批的芯片应逐颗检验；尺寸代码 为0505和0606的芯片检验批,每间隔2颗检验一颗芯片，尺寸代码为0303的芯片检验批,每间隔 4颗检验一颗芯片”修订为“逐颗检验”。 ——7.4 贮存环境由“温度：22℃±2℃，湿度：55%±15%”修订为“温度：10~30℃，湿度≤80%”。 本标准的编写按GB/T 1.1—2009 《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》规定。 本标准由扬州乾照光电有限公司负责起草。 本标准起草人：仲蓉、李俊承。本次修订人：刘俊、李俊承、张坤铭、伏兵。 本标准于2014年3月首次发布，于2017年3月第1次修订，于2020年4月第2次修订。 I Q/321001LXB 04—2020 砷化镓太阳电池芯片 1 范围 本标准规定了砷化镓太阳电池芯片的要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输、贮存等要求。 本标准适用于砷化镓太阳电池外延片为原材料，经加工制成的砷化镓太阳电池芯片，以下简称芯片。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GJB 5247—2004 空间用砷化镓/锗太阳电池通用规范 3 型号命名 3.1 分类 芯片分为地面聚光太阳电池芯片和空间太阳电池芯片。 3.2 型号命名 3.2.1 芯片的型号命名方式按图1 规定。 CS □ □ □ □ □ □ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ └──────芯片尺寸代码(详见表6) │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ └────────芯片工艺