直拉硅单晶生长工艺流程与原理课件.pptVIP

（直拉法晶体硅生长流程与原理） 直拉式单晶炉培训 技术工艺部 报告人：丁永生 日期： 2011.10.21 1 培训内容 一、直拉法单晶硅生长环境 二、直拉式单晶炉基本结构 三、直拉法单晶硅生长工艺步骤 2 一、直拉硅单晶的生长环境 高温环境的形成 1 、硅的熔点 1420 ℃左右； 2 、主炉室内安装石墨加热器和保温材料（热场），低压大电流流过加热 器产生高温，热量通过辐射加热石墨坩埚，由石墨坩埚加热石英坩埚和 多晶硅料，达到熔化和结晶所需的温度。调节加热器功率以控制熔体温 度； 3 、保温结构用于构成下热上冷的温度梯度，以 及隔绝加热器对炉壁的 热辐射 3 直拉单晶炉主炉室及内部热系统概图 4 单晶炉热场不同系统温度分布对比 5 直拉单晶炉在气氛下拉晶 1 、真空泵不断的对炉子抽气，形成真空； 2 、炉子各部件之间都有密封件，其中旋转部件之间采用磁 流体密封； 3 、每炉生长之前通过用真空泵对炉子抽极限真空，（抽真 空）关闭抽空阀门，测量炉内压力升高速度来判定炉子 是否达到密闭要求；（检漏） 单晶炉的真空度及真空的泄漏率对单晶硅生长 至关重要！ 6 直拉单晶炉内部的气氛环境特征 1 、用高纯氩气保护（ 99.999% ）； 2 、带走氧气等泄露进炉内的杂质，并带走熔液表面蒸发 的 SiO （ 流动性 ）； 3 、顶上充入，用真空泵从炉底抽气抽空管道上设置电动 蝶阀以实现炉内压力的闭环控制（ 保护性气体的流 向 ）； 4 、气体进入真空泵之前经过过滤罐将杂质粉尘分离，减 少对泵油的污染（ 过滤罐的作用 ）； 顺畅气流流动对单晶硅生长非常重要！ 7 直拉单晶炉热系统及气氛流动示意图 8 单晶炉对外界环境的要求 9 直拉单晶炉上轴（软轴）对环境的要求 直拉单晶炉软轴长度约 4-5m ，直径 2.5mm ； 在炉子顶上有一个旋转的缆车机构（提拉头）拉 晶时不停旋转并缓慢的卷动钢缆提升单晶棒； 要求： 1 、提拉头安装在水平的炉顶上； 2 、提拉头自身旋转平稳，动平衡； 3 、炉子可靠的座在基础上，地脚螺栓拉紧； 4 、基础四周隔震，无机械振动； 5 、软轴与炉子的旋转轴线； 10 直拉单晶炉下轴（坩埚轴）对环境的要求 1 、坩埚通过一根约 1m 长的硬轴（石墨）支撑并旋 转上升，熔液盛在石英坩埚内； 2 、石墨埚杆通过螺丝固定在单晶炉下轴上； （硬轴固定在坩埚提升机构上） 3 、坩埚提升机构导轨和丝杠要平顺； 4 、带动的硬轴旋转要平稳； 5 、冷炉时硬轴上端放一盆水，坩埚提升机构运行 时水面无明显波纹（ 机械调试时的一个方法 ）； 11 单晶炉底座及地基和震源的隔离 外界震源包含： 1 、真空泵运行振动 （措施：真空泵下用弹簧座主动隔震真空泵远离炉子） 2 、基础所处土壤表层振动 （措施：基础四周挖减震槽隔离） 3 、基础所处土壤深层振动 （措施： 1 、混凝土基础座在实土层 2 、混凝土基础不宜过高） 12 二、直拉单晶炉的基本结构 晶体提升 旋转机构 副炉室 隔离阀室 （翻板阀 室） 炉盖 主炉室 控制柜 坩埚提升 旋转机构 13 单晶炉的主要组成部分 1 、炉体（基座、炉室、炉盖、液压系统） 2 、晶体升降及旋转机构 3 、坩埚升降及旋转机构 4 、氩气和真空系统 5 、加热系统（加热电源、热场） 6 、冷却系统 7 、控制系统 14 炉体 1 、基座配合水平调整和防震设施为晶体提供良好的生长环境； 2 、主炉室是晶棒生长的地方；副炉室是晶棒冷却的地方； 3 、通过炉盖观察窗（主视窗、 CCD 窗）监控晶体生长全过程； 4 、液压系统控制炉室打开与复位。 炉体调试重点： 1 、炉子达到密闭性要求、极限真空和漏率合格； 2 、调整调平垫块使炉底板达到水平度要求； 3 、拧紧地脚螺栓； 4 、液压系统运行平稳，限位调整，定位销检查 。 炉体（炉体由基座、炉室、炉盖及液压系统组成） 15 单晶体 / 坩埚升降及旋转机构 1 、快慢双电机结构： 提高拉速控制精度；实现易挥发杂质的掺杂； ? 2 、配重块合理配重： 保证了晶体旋转时的动态平衡； 3 、上 / 下轴旋转的作用： 固液界面热对称的获得；晶体断面良率的提高； ? 4 、行程传感器： 长度的测量可把握剩料，做到及时收尾。 16 单晶炉晶体提拉部分 称重部件 配重块 旋转伺服 电机 快速升降 电机 慢速升降 电机 光电编码 计行程 单晶炉晶体提拉部分（功能结构示意） 17 晶体 / 坩埚旋转传动机构调试重点 1 、晶体、坩埚慢速电机和旋转电机速度标定，方向正确； 2 、晶体、坩埚快速电机方向正确； 3 、依照热场高度调节晶体、坩埚限位； 4 、调整提拉头水平； 5 、调整坩埚轴上端面水平； 6 、用对中套调整坩埚轴对中； 7 、用对中尖和对中盘调整钢缆对中； 8 、标定晶体、