模拟电子技术基础 第2章半导体二极管及其基本电路 PPT课件.pptVIP

电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.5 特殊二极管 发光二极管 发光二极管（LED）包括可见光、不可见光、激光等不同类型。 图3.3.12 发光二极管外形及符号 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 发光二极管 发光二极管简称为LED（light-emitting diode） 定义：在半导体p-n结注入正向电流时，电子与空穴不断流过PN结，并自发复合产生可见或非可见辐射光的半导体二极管。 发光二极管由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。 模拟电子技术——电子技术基础精品课程 上页 下页 第二章 半导体基本知识 武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 2 半导体基本知识 本章主要内容 引言 2.1 半导体基本知识 2.2 PN结的形成及特性 2.3 半导体二极管 2.4 二极管基本电路 2.5 特殊二极管 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 引言 本章首先简要介绍半导体的基础知识，接着讨论半导体器件的核心环节－－PN结，并重点地讨论半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用；在此基础上，对齐纳二极管、变容二极管和光电二极管器件的特性与应用也给予了简要的介绍。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 2.1 半导体基本知识 本节主要内容 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体 2.1.4 杂质半导体 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 PN结的单向导电性 PN结加上正向电压或正向偏置的意思都是： P区加正、N区加负电压。 PN结加正向电压　导通 PN结加上反向电压或反向偏置的意思都是： P区加负、N区加正电压。 PN结加反向电压　截止 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称 二极管 P N P N 符号 阳极 阴极 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 半导体二极管的类型 按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。 按 PN 结结构分：有点接触型和面接触型二极管。 …… 点接触型二极管因其结面积小，不能承受较大的电流和反向电压，但其结电容较小，一般在１PF以下，工作频率高，可达100MHZ以上，因此适应于高频电路和小功率整流电路，也适应于开关电路。 ……面接触型二极管 其结面积大，能够通过较大的电流，但其结电容大，因而只能在较低频率下工作，一般用于工频大电流整流电路。 按用途分：有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 图3.3.1 半导体二极管的结构和符号 （a）点接触型（b）面接触型（c）集成电路中的平面型（d）代表符号 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 几种常见的二极管外形 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 几种常见的二极管外形 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 几种常见的二极管外形 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 3.3 半导体二极管 二极管的V-I特性 －与PN结一样，二极管具有单向导电性 反向击穿电压V(BR) – 50 I / mA V/ V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 0 图3.3.2 硅管的伏安特性 图3.3.3 锗管的伏安特性 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 二极管的伏安特性 vD iD 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管 0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 反向漏电流Is （很小，?A级） 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 二极管主要参数 为描述二极管的性能，常引用如下几个主要参数： — 1. 最大整流电流IF IF是指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。其值与PN结面积以及外部散热条件有关。在规定的散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则将因结温升高而烧坏。 — 2. 反向击穿电压VBR和最高反向工作电压VRM VBR是指二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导