Q_PS_Q-3-JS-026-2017黑硅电池片技术标准.pdf

江苏辉伦太阳能科技有限公司 文件名称：黑硅电池片技术标准 编制部门：技术中心 文件编号 PS/Q-3-JS-026 版本号 V1.1 编制/日期 收文部门 批准/日期 分发号 总经理 仓库 综合管理部 采购中心 生产部 技术中心 会签 （部门/人员） 设备部 营销中心 工艺工程部 质量管理部 2 7 文件名称：黑硅电池片技术标准 版本：V1.1 页码： / 文件修订履历 序号 修订日期 版本号 修订条款 修订内容 修订人 1 17.6.28 V1.0 全文 新增 吴兢 更新156.75电池片背电极距边距 2 17.9.18 V1.1 4.2 吴兢 离 3 7 文件名称：黑硅电池片技术标准 版本：V1.1 页码： / 1、目的 规定晶体硅电池片的技术要求，使其能满足太阳电池组件的生产、使用等要求。 2、范围 本技术要求适用于晶体硅太阳电池组件所使用的电池片。 3、规范性引用文件 GB/T12632-1990 单晶硅太阳电池总规范； GB/T6495.1-1996 光伏器件第1部分:光伏电流-电压特性的测量； GB/T2828.1-2003 逐批检验记数抽样程序第1部分:按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽 样计划； GB6495－86 地面用太阳能电池电性能测试方法； GB/T6495.2－1996 光伏器件第2部分:标准太阳电池的要求； IEC60904-1-2006 光电器件第1部分:光伏器件的电流电压特性测定； IEC60904-2-2015 光电器件第2部分:标准太阳电池的要求。 4、技术要求 4.1、电性能要求 4.1.1、所有电池片转换效率（Eff）均按行业内认可的认证机构或实验室提供的一级标片进行 标定，电池片转化效率分档由厂家规定，电池片的Pmax需与标称值一致并且满足正公差要求。 4.1.2、漏电流值Irev2(-12V)需≤1.5A，并联电阻（Rsh）≥20Ω。 4.1.3、电池片光诱导衰减(LID, light induced degradation)满足：单晶电池≤3%、多晶电 池≤2%。 4.1.4、CTM（cellstomodule）功率损失要求≤3.0%。 4.2、尺寸要求 电池片尺寸技术要求见表1。 4 7