CMOS集成电路制造工艺教材 92页.pptVIP

63 6 、硅化物自对准结构 ? 在栅极两侧形成一定厚 度的氧化硅或氮化硅侧 墙，然后淀积难熔金属 并和硅反应形成硅化物 ? 作用： 减小多晶硅线和 源、漏区的寄生电阻； 减小金属连线与源、漏 区引线孔的接触电阻 硅化物 硅化物 多晶硅 R C R SE R silicide 硅化物同时淀积在栅电极上和暴露的源、漏区上， 因此是自对准结构 64 7 、铜互连 ? 铜比铝的电阻率低 40 ％左右。用铜互连代替铝互连可以显 著减小互连线的寄生电阻从而减小互连线的 RC 延迟 ? 铜易于扩散到硅中，会影响器件性能；铜还会对加工设备 造成污染，因此铜互连不能用常规的淀积和干法刻蚀方法 形成 ? 铜互连技术特点： ? 显著减小互连线的寄生电阻 ? 与低 k 介质材料结合减小寄生电容，提高电路性能 ? 需要特殊的工艺技术：“镶嵌”（大马士革）技术和化 学机械抛光技术 65 常规互连和镶嵌工艺比较 氧化层 光刻胶 金属 66 采用铜互连可以减少连线层 数 31 6.1.1 基本工艺步骤 ? (4) 扩散和离子注入 ? 在硅衬底中掺入杂质原子，以改变半导体电学性质， 形成 pn 结、电阻、欧姆接触等结构。 ? 扩散：杂质原子在高温下克服阻力进入半导体，并缓 慢运动。 ? 替位式扩散、间隙式扩