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电子测量方法与测量仪器8 ——半导体测量 (四) 半导体器件检测 半导体器件也叫“晶体管”，如：（双极型）三极管、二极管、场效应管、 晶闸管、各种集成电路等，种类繁多，广泛应用于各种电子电路中。判断电路中 半导体器件的好坏、检测其基本的性能，是电器电路故障诊断的重要测量项目。 本节探讨：使用万用表欧姆档，或者配合使用一些简单装置，检测半导体器件的 方法，这在电器电路故障诊断中具有非常重要的实用意义。 (1) PN 结特性与半导体器件基本检测方法 在半导体材料中，P 型区域与N 型区域的交界处附 近会形成一个特殊的区域，这个区域叫PN 结，如图（3-23 ） 所示。PN 结是半导体器件的核心，检测半导体器件实际 上就是通过外部引脚 （线），测量内部PN 结。PN 结具有 三个重要特征：单向导电；正向导通压降；反向击穿电压， 它们是判断PN 结好坏、识别无标识的半导体器件类型和 各引脚电极的主要依据。由于二极管就是一个单独封装的PN 结，因此二极管和 PN 结用相同的符号表示。以下通过对二极管的特性描述，说明单独PN 结的上 述三个特征： 单向导电： 当给二极管施加正向电压时，即正极（连接到 P 区）接正、 负极（连接到N 区）接负，如图（3-23 ）中所示方向。二极管呈现为导通状态， 有正向电流流过，并且该电流将随着正向电压的增加，急剧增大；当给二极管施 加相反的电压时，二极管呈现为截止状态，只有少量的穿透电流IBO （uA 级以下） 流过。 正向导通压降：二极管加上正向电压导通后，会保持一个相对固定的端电 压VF ，VF 称为“正向导通压降”，其数值依选用的半导体基材不同有别，锗半导 体约为0.3V ；硅半导体约为0.7V 。 反向击穿电压： 当给二极管施加的反向电压值达到其所能承受的极限值 （反向击穿电压VZ ，大小因二极管的型号不同有别）时，二极管呈现为导通状 态，且在允许的反向电流范围内，其端电压会基本保持为 VZ ，即二极管反向击 穿后具有“稳压特性”。 伏安特性曲线：在直角坐标系中，如果以二极管的端电压V 为横坐标，电 流I 为纵坐标，可以将二极管的上述特性用一条曲线来定量的描述，该曲线称为 二极管的伏安特性曲线，图 （3-24 ）所示是普通硅二极管的伏安特性曲线。从曲 1 中国·福建·厦门·硬道理工作室 http// Email:zlq21cn@21 线中可以看出，给二极管加上的正向电压数值 必须大于Vr 时才开始导通，Vr 称为死区电压， 硅管Vr ≈0.3V ；锗管Vr ≈0.1V 。 使用模拟式万用表的欧姆[ ×1K]档，就可 以进行二极管的检测，以此判断被测器件的好 坏、类型，以及识别引脚电极。 例（3-11 ）：有一只普通的无标识小功率 三极管，试通过模拟式万用表（如MF47 型）判断其好 坏，识别其类型和管脚。 分析：普通三极管可以看成是两个反向串联的二 极管，如图 （3-25 ）所示。可以通过EBC 三个电极测量 内部的两个PN 结 （发射结、集电结）；发射结与集电结 的区别是，反向击穿电压VB 不同，发射结VB 约为7V ； 集电结VB 远高于7V，依型号不同有别。 测量步骤： ①模拟式万用表选择欧姆[ ×1K]档，并调零； ②判别基极B ：黑表笔接一个电极X ，用红表笔分别接触另外两个电极， 如果指针均偏转（导通），调换黑、红表笔，再做上述测量，指针都不偏转（不 通），则说明电极X 是基极，且管子是NPN 型；如果测量结果正好相反，即黑 表笔接电极X 时都不导通，红表笔接电极X 时都导通，也说明电极X 是基极， 但管子是PNP 型； ③判断好坏：如果在步骤②中，分别测量了三个电极，都找不到符合上述 条件的电极X ，则说明管子是坏的； ④区分锗管还是硅管：在上述测量中，如果正向导通时指针均接近满偏， 则说明正向导通压降很低，为锗管；如果指针偏转在满偏的2/3 位置附近，则说 明正向导通压降在0.5V—0.7V 之间，为硅管； ⑤区分发射极E 和集电极C ：选择欧姆[ ×10K]档并调零，对于NPN 型管， 将红表笔接基极B ，黑表笔分别接触另外两个电极，指针有偏转时 （反向击穿）， 红表笔所接的电极为发射极E ，指针不偏转时，红表笔所接的电极为集电极C ； 对于PN