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PECVD 镀膜技术简述 PECVD 技术分类 PECVD 直接法 间接法 管式 PECVD 系统 板式 PECVD 系统 微波法 直流法 日本岛津 RothRau OTB Centrotherm 、四十八所、 七星华创 平板型 ? 直接法和间接法的区分，主要基于激 发等离子体是否在腔室内还是在腔室 外，如左图所示 ? 一般而言，氨气先于硅烷等离子化， 而是否为直接或间接主要是指氨气电 离的区域的差异 ? 德国 Centrotherm 、国产 48 所 /SevenStar/ 捷佳伟创 _ 炉管式直接型 — 炉管式直接法 PECVD 通常的频率为 40KHZ ，沉积速率较慢，且对表面损伤严 重，但是钝化效果较佳，尤其是体钝化效果最好； — 为减小对表面造成的损伤，采用脉冲式的间断低频场，在电学控制及沉积 稳定性方面较佳。 — 国产管式 PECVD 与 Centrotherm 之间的异同。从原理及镀膜方式上，前后二 者没有实质性的差别，采用相同的原理和相同的方式进行氮化硅薄膜的沉 积，主要的差异体现在三个方面： a) Centrotherm 工艺控制灵活、安全、便捷，在工艺程序上可 操作性 更大；在温控、功率和气压控制方面，国产 PECVD 也存在着一定的 差距； b) 安全性能更好，稳定性好，在起始阶段，国产设备与 Centrotherm 没有太大的差别，但随着工艺运行的次数增加，