场效应晶体管结构工作原理和输出特性精选.pptVIP

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2020-08-02 发布于福建
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场效应晶体管结构工作原理和输出特性精选.ppt

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场效应晶体管简介作成:高能杰扬州虹扬科技发展有限公司 2014年8月 HY Technology Development Co, Ltd 目录: 半导体材料简介 2.场效应管简介 3.场效应管分类 4.N沟道增强型MOS场效应管工作原理 5.N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 6.各种场效应的特性曲线 7.场效应管与双极型晶体管比较 8.场效应管的各项参数 9.场效应管的命名规范半导体材料简介本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。本征半导体的原子结构及共价键共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成,称为束缚电子。图所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。束縛电子不能移动硅和锗的原子结构和共价键结构两种载流子—一自由电子和空穴温度越高,半导体材料中产生的自由电子便越多。束缚电子脱离共价键成为自由电子后,在原来的位置留有一个空位,称此空位为空穴。本征半导体中,自由电子和空穴成对出现,数目相同。图所示为本征激发所产生的电子空穴对一自由电本征激发产生电子空穴对杂质半导体在本征半导体中加入微量杂质,可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(A型) 半导体和空穴型(P型)半导体。