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基于硅基微环的信号处理介绍
硅基微环的结构和优点
与CMOS工艺兼容
尺寸小、易集成
半径:几个到几十个微米
波导宽度:几百个纳米
易于光电混合集成
■适于光信号处理
Si/SiO2之间的折射率差很大
周期线性高Q滤波效应
环内能形成很强的内建场
各种非线性效应阈值低
Silicon handing wafer
硅基微环的线性特性
E(0)
Ein
E(L
ECL
E(O
I-tae
在环中绕一周相移位2kπ的光将发生谐振
a:衰减系数;φ:相移;t:直接耦合系数;r:交叉耦合系数
Y Chen and s. blair,
AB,2125(203)
硅基微环的周期谐振特性
幅频特性
谐振特性漂移
(滤波)
1.受热:L改变
强光照射(ms)
加热电极(ms)
相频特性
2.载流子:n改变
强光照射(ns)
外加电压(ps
延迟特性
3.Ker:n改变
强光照射
谐振
Y Chen and S. Blair, J. OSA B, 2125(2005).
硅微环光信号处理实验演示
密集波长转换
可控的光延迟
光信号微分器
可集成的移相器
光信号调制器
全光码型转换
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