离子注入和快速退火工艺.pdfVIP

. 离子注入和快速退火工艺 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。 注入能量介 于 1keV到 1MeV之间，注入深度平均可达 10nm~10um ，离子剂量变动范围从用 于阈值电压调整的 1012/cm3 到形成绝缘层的 1018/cm3 。相对于扩散工艺，离子 注入的主要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失去能量， 最后停在晶格内 某一深度。 平均深度由于调整加速能量来控制。 杂质剂量可由注入时监控离子电 流来控制。 主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。 因此，后续的 退化处理用来去除这些损伤。 1 离子分布 一个离子在停止前所经过的总距离，称为射程 R。此距离在入射轴方向上的 Word 文档 . 投影称为投影射程 Rp。投影射程的统计涨落称为投影偏差σ p 。沿着入射轴的垂 直的方向上亦有一统计涨落，称为横向偏差σ┷。 下图显示了离子分布， 沿着入射轴所注入的杂质分布可以用一个高斯分布函 数来近似： S为单位面积的离子注入剂量，此式等同于恒定掺杂总量扩散关系式。沿 x 轴移动了一个 Rp。回忆公式 : 对于扩散，最大浓度为 x＝0 ；对于离子注入，位于 Rp处。在（ x －Rp）＝± σp处，离子浓度比其峰值降低了 40%。在±2 σp处则将为 10%。在±3 σp处为 1%。在 ±4 σp处将为 0.001%。沿着垂直于入射轴的方向上，其分布亦为高斯分布，可用 : 表示。因为这种形式的分布也会参数某些横向注入。 2 离子中止 使荷能离子进入半导体衬底后静止有两种机制。 一是离子能量传给衬底原子核，是入射离子偏转，也使原子核从格点移出。 设 E是离子位于其运动路径上某点 x处的能量，定义核原子中止能力： Word 文档 . 二是入射离子与衬底原子的电子云相互作用， 通过库仑作用， 离子与电子碰 撞失去能量，电子则被激发至高能级或脱离原子。定义电子中止能力： 离子能量随距离的平均损耗可由上述两种阻止机制的叠加而得： 如果一个离子在停下来之前，所经过的总距离为 R，则 E0 为初始离子能量， R 为射程。 核阻止过程可以看成是一个入射离子硬球与衬底核硬球之间的弹性碰撞 M1 转移给 M2 的能量为 : 电子中止能力与入射离子的速度成正比： 其中系数 ke是原子质量和原子序数的弱相关函数。 硅的 ke值 107(eV)1/2/cm 。 砷化镓的 ke值为3 ×107(eV)1/2/cm 离子中止两种机制： 一是离子能量传给衬底原子核， 是入射离子偏转， 也使 Word 文档 . 原子核从格点移出。二是入射离子与衬底原子的电子云相互作用，