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《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习 填 空 1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。 3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。 6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。 9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得 。极 的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________ 电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。11. 。值 算 U~ U设二极管正偏时的正向压降为0.7V，估 DA =_______；U=_____，Ua：VD_______ 偏置 ， 图 B1A 。，U=_______ ________ 置 ，U=_____b图 ：VDD2C 判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，12. U（设二极管均为理想二极管）AB并求出两端电压AB ，U_______。图a：VD_______AB _______。U图b：VD_______，AB 。_______图c：VD_______，U AB ，VD_______，VD图d：_______21 _______ 。UAB _________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接硅稳压管是工作在13. _________。 1 结构成的一种半导体器件，从结构上看可以分为PNI4.晶体三极管（简称三极管或晶体管）是由两个 两大类型。_______和_________ ：三极管具有电流放大作用的内部条件是 15. 。结的面积较大 ；（3）_______l）_____区很薄 ；（2）_______区的多数载流子的浓度较高（ ：三极管具有放大作用的外部条件是 I6. 。结反向偏置 ；（2）________（l）_______结正向偏置 。晶体三极管 17.三极管的工作有赖于两种载流子——自由电子和空穴，因此又称它为_______ 。极电位最低 型三极管处于放大状态时，三个电极中____ 极电位最高，____18.PNP电流，就可实倍，即利用_____电流约是_____电流的β19.三极管的电流放大作用是指三极管的______ _____电流的控制。现对 ______ V。20.三极管正常放大时，发射结的导通压降变化不大，小功率硅管约为_____V，锗管约为 。I基本不变，体现了管子的______特性21.三极管在放大区的特征是当I固定时，CB立；当才成 ≈βI22.三极管的输出特性曲线可分为三个区域。当三极管工作在_______区时，关系式IC 0。区时U≈区时，I≈0；当三极管工作在_____________三极管工作在CEC；______ mA则发射极电流I＝Ic＝1．2mA，若某三极管的管压降23.U保持不变，当测得I＝30μA时，ECEB=_______ βA，则三极管的电流放大系数IcA时，增加到2 m如果I增大到50μB 下图所示的各晶体管电极上的实测对地电压数据中，分析各管的情况。24. 11.3V 中管子工区，图d中管子工作在 中管子工作在a 区，图b中管子工作在 区，图c图 区。 作在 在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中。（可不限一种）25. (1)希望电压放大倍数大，可选用______________组态 。 (2)希望既能放大电压，又能放大电流应选用_________________组态。 (3)希望输出电压与输入电压同相，可选用______________组态。 组态。(4)希望带负载能力强，应选用_________________ 组态。(5)希望从信号源索取的电流小，应选