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电子技术总复习一填空型半导体中的多数载流子是空穴型半导体中的多数载流子是自由电子半导体二极管有硅管和锗管之分硅二极管的正向导通电压为死区电压为锗二极管的正向导通电压为死区电压为半导体二极管具有单向导电性加正向电压时导通加反向电压时截至硅二极管的正向导通电压为锗二极管的正向导通电压为某稳压管的稳定电压最大耗散功率则其最大稳电流某稳压管的稳定电压最大稳定电流则其最大耗散功率晶体管有集电极基极和发射极三个电极分别用字母和表示晶体管的输出特性曲线可分为放大区截止区和饱和区晶体管处于放大区的条件是发射结正
电子技术总复习
一、 填空
1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。
2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V，死区电压为（ 0.5 ）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V，死区电压为（ 0.1 ）V。
3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。
4．某稳压管的稳定电压U=5V，最大耗散功率P=100mW，则其ZMZ最大稳电流I=（20）mA。 ZM
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