材料科学与工程基础作业讲评课堂.pptVIP

? 4-41 在 20 ℃时 1m 3 内含有 10 21 个电荷载体的半导 体的电阻率为 0.1 Ω· m ，如果在电场为 0.15V· mm -1 时可传导 1A 的电流，试计算电导的平均漂移速度 ? ? = nq ? =nqv / E, ? so, v = ? E / nq= E /( nq ? ) ? =150/[10 21 *1.6*10 -19 *0.1]=9.375m/s ? 载流子的迁移率，其物理意义为载流子在单位电 场中的迁移速度。 第十二次作业 中文 1 4-43 已知硅和锗在 300 ℃ 的电阻率分别为 2.3 × 10 3 μΩ · m 和 0.46μΩ · m ，试分别计算硅和锗在 250 ℃的电导率。 4-43: ln ? = C -[ E g /(2 k T)], 或 ? = ? 0 exp[-E g /(2 k T)] ln( ? 1 / ? 2 )= -E g /(2 k )[1/T 1 -1/T 2 ] , R =1/ ? 硅半导体 (E g =1.2ev, k =8.62 ? 10 -5 ev) ： 250 ? C, ? =0.15 ? 10 3 ( Ω m) -1 锗半导体 (E g =0.67ev, k =8.62 ? 10 -5 ev) ： 250 ? C, ? =1.14 ? 10 6 ( Ω m) -1 2