《电力电子技术》课后答案完整版.doc

王兆安《电力电子技术》(第4版课后习题解 第1章 电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极注入正向触发电流。 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流(即维持电流,即H A I I 。 要使晶闸管由导通变为关断,可通过外加反向阳极电压或减小负载电流的办法,使流过晶闸管的电流降到维持电流值以下,即H A I I 。 1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为m I 。 试计算各波形的电流平均值1d I ,2d I ,3d I 与电流有效值1I ,2I ,3I 。 解:a m m m d I I t d t I I 2717.012 2( 2((sin 214 1≈+= = ?π ωωπ ππ m m m I I t d t I I 4767.021432(sin (214 21≈+= =? π ω?π ππ b m m m d I I t d t I I 5434.012 2 ( ((sin 1 4 2≈+= = ? π ωωπ ππ m m m I I t d t I I 6471.021432 2(sin (1 4 22≈+= = ? π ω?π ππ c ? = =20 3 4 1(21π ωπ m m d I t d I I m m I t d I I 2 1(21 20 2 3= = ? ωπ π 1.4 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流1d I 、2d I 、3d I 各为多少?这时,相应的电流最大值1m I 、2m I 、3m I 各为多少? 解:额定电流A I AV T 100(=的晶闸管,允许的电流有效值A I 157=,由上题计算结果知: a A I I m 35.3294767.01≈≈ A I I m d 48.892717.011≈≈ b A I I m 90.2326741 .02≈≈ A I I m d 56.1265434.022≈≈ c A I I m 31423== A I I m d 5.784 1 33== 1.5 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由211P N P 和221N P N 构成两个晶体管1V 、2V ,分别具有共基极电 流增益1α和2α,由普通晶阐管的分析可得,121=+αα是器件临界导通的条件。121 αα+两个等效晶体管过饱和而导通;121 αα+不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点 图1-43 晶闸管导电波形 不同:1多元并联集成结构使每个GTO 元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,2P 区的横向电阻很小,显著减小了横向压降效应,从而使从门极抽出较大的电流成为可能; 2 GTO 导通时21αα+的更接近于1,普通晶闸管5.121≥+αα,而GTO 则为05.121≈+αα,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;而且GTO 在设计时2α较大,这样晶体管2V 控制灵敏,易于GTO 关断; 3 GTO 的3J 结的反向击穿设计得较高,使得允许在门极和阴极间施加较高的反向驱动电压,不仅可以进一步削弱横向压降效应,而且可以加速GTO 体内非平衡载流子经门极回路泄放的过程。 1.6 如何防止电力MOSFET 因静电感应引起的损坏? 答:电力MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低泄漏电容,当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过±20V 的击穿电压,所以为防止MOSFET 因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点: ① 一般在不用时将其三个电极短接;② 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;③ 电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高;④ 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 1.7 IGBT 、GTR 、GTO 和电力MOSFET 的驱动电路各有什么特点? 答:IGBT 驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT 是电压驱动型器件,IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR 驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。 GTO 驱动电路的特点是:GTO 要求其驱动电路提供的驱动