电子电路基础2014A.ppt

第一部分 半导体基础导学 一、半导体材料的特点。 1.当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 2.往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显增强。 二、本征半导体 载流子特点：本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的重要外部因素，这是半导体的一大特点。 三、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 四. N型半导体和 P型半导体载流子特点 五. PN结单向导电性及应用 1.PN结单向导电性2.PN结单向导电性的应用 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 六.三极管工作区域 三极管工作状态的偏置条件 放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。 截止区：发射结和集电结均为反向偏置。 饱和区：发射结正偏、集电结正偏。 七. 判断三极管管型 例题：半导体基础 一、半导体材料的特点。 1.在纯净半导体中掺入 ，就会使半导体的导电性能增强。(杂质） 2.环境温度升高时，半导体材料的导电能力会 。（增强/减弱） 3.当半导体材料受光照射时，其导电能力会 。（增强/减弱） 二、本征半导体 1.本征半导体的载流子是 。电子和空穴 2.当本征半导体温度升高时，电子和空穴数目都 。增大 3.在温度升高时，本征半导体中载流子的数量将 。增大 三、杂质半导体 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A．晶体缺陷 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 2. 在本征半导体中掺入3价元素就成为（ ）型半导体。 A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 3. 在本征半导体中掺入5价元素就成为（ ）型半导体。 A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 四. N型半导体和 P型半导体 1、电子为多数载流子的杂质半导体称为 N型 半导体。 2、自由电子为N型半导体的 多数 载流子。 3、N型半导体多数载流子浓度取决于 掺杂浓度 。 4、P型半导体的多数载流子为 空穴 。 5 、空穴为多数载流子的杂质半导体称为 P型 半导体。 6、P型半导体多数载流子浓度取决于掺杂浓度 。 五. PN结单向导电性及应用 1.PN结单向导电性1. 当PN结外加正向电压时，内外电场方向（ ）。A.相反 B.相同 C. 不确定2. 当PN结外加反向电压时，内外电场方向（ ）。 A.相反 B.相同 C. 不确定3. PN结具有（ ）导电特性。 A.双向 B.单向 C. 不确定 |vi |<0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |>0.7V时， D1、D2中有一个导通，所以vo =0.7V vi >0.7V时， vi <-0.7V时两种情况 例1 vo vi D2 D1 vo vi 2.PN结单向导电性的应用 |vi |<2.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |>2.7V时， D1、D2中导通，所以vo =2.7V vo vi 例2 |vi |<1.4V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |>1.4V时， 有一支路导通，所以vo =1.4V vo vi 例3 六.三极管工作区域 PNP晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A．UC<UE<UB B. UB<UC<UE C. UC<UB<UE D. UB<UE<UC NPN晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A．UC<UE<UB B. UB<UC<UE C. UC<UB<UE D. UE<UB<UC 1. 测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 2. 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 3. 测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3