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附件 1
2020 年度上海市工业强基重点方向
序号 重点方向 主要内容和产品(技术)要求
重点领域补短板
研发超大规模 FPGA 阵列自动分割软件,加速 ASIC 或
超大规模 FPGA 阵列硬件仿真
1 SoC 设计公司的 FPGA 原型验证与软件开发流程,
自动分割工具
为国产 FPGA 公司提供强有力的工具流支撑。
研发支持光学防抖 (OIS )和对焦 (AF )控制驱动芯片。
光学防抖( OIS )和对焦(AF ) 内置高性能低功耗 Cortex-M4 处理器,集成 64kByte
2
控制驱动芯片 Flash 和 48kByte 的 SRAM 等大容量存储,ADC 精度
达 13bitA ,实现国内首次商用。
研发硅工艺线性放大器芯片,覆盖 sub-6GHz 的宏基站
5G 基站用 SOI 射频高线性 和小基站应用,射频开关功能单元工艺兼容,易于单片
3
放大器芯片 集成,突破传统用成本高集成度低砷化镓工艺路线,实
现技术路线的更新换代。
研发面向高性能应用和实时控制的双模处理器 IP,支持
RV64G 架构,具备高度可配置性和可扩展性,支持用
自主可控嵌入式高性能多核
4 户自定义指令扩展。在先进工艺下,主频高于 1.5Ghz ,
RSIC-V 处理器 IP
性能达到 2.0DMIPS/MHz 和 3.5CoreMark/MHz 以
上,支持主流大型操作系统。
面向新能源汽车的应用,开发 650V-1200V SiC
车规级 650V-1200V SiC MOSFET 和 SBD 工艺平台及产品,攻关晶圆减薄和背
5
MOSFET 和 SBD 工艺平台 面激光退火工艺,在乘用车和商用车的车载 OBC 和
DC-DC 变换器等领域实现落地应用。
研制自主知识产权工业用高性能高可靠全局 CMOS 图
像传感器(2048*2048 分辨率,1 英寸光学靶面),突
工业用高性能高可靠全局 CMOS
6 破高温度范围和高可靠性等关键技术指标,在分辨率,
图像传感器
噪声,帧率或者高可靠方面达到工业或者宇航级要求,
满足
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