2020年度上海市工业强基重点方向.pdf

  1. 1、本文档共4页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
附件 1 2020 年度上海市工业强基重点方向 序号 重点方向 主要内容和产品(技术)要求 重点领域补短板 研发超大规模 FPGA 阵列自动分割软件,加速 ASIC 或 超大规模 FPGA 阵列硬件仿真 1 SoC 设计公司的 FPGA 原型验证与软件开发流程, 自动分割工具 为国产 FPGA 公司提供强有力的工具流支撑。 研发支持光学防抖 (OIS )和对焦 (AF )控制驱动芯片。 光学防抖( OIS )和对焦(AF ) 内置高性能低功耗 Cortex-M4 处理器,集成 64kByte 2 控制驱动芯片 Flash 和 48kByte 的 SRAM 等大容量存储,ADC 精度 达 13bitA ,实现国内首次商用。 研发硅工艺线性放大器芯片,覆盖 sub-6GHz 的宏基站 5G 基站用 SOI 射频高线性 和小基站应用,射频开关功能单元工艺兼容,易于单片 3 放大器芯片 集成,突破传统用成本高集成度低砷化镓工艺路线,实 现技术路线的更新换代。 研发面向高性能应用和实时控制的双模处理器 IP,支持 RV64G 架构,具备高度可配置性和可扩展性,支持用 自主可控嵌入式高性能多核 4 户自定义指令扩展。在先进工艺下,主频高于 1.5Ghz , RSIC-V 处理器 IP 性能达到 2.0DMIPS/MHz 和 3.5CoreMark/MHz 以 上,支持主流大型操作系统。 面向新能源汽车的应用,开发 650V-1200V SiC 车规级 650V-1200V SiC MOSFET 和 SBD 工艺平台及产品,攻关晶圆减薄和背 5 MOSFET 和 SBD 工艺平台 面激光退火工艺,在乘用车和商用车的车载 OBC 和 DC-DC 变换器等领域实现落地应用。 研制自主知识产权工业用高性能高可靠全局 CMOS 图 像传感器(2048*2048 分辨率,1 英寸光学靶面),突 工业用高性能高可靠全局 CMOS 6 破高温度范围和高可靠性等关键技术指标,在分辨率, 图像传感器 噪声,帧率或者高可靠方面达到工业或者宇航级要求, 满足

文档评论(0)

Wang216654 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档