硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法-编制说明.pdfVIP

国家标准《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》 编制说明（征求意见稿） 一、工作简况 1、立项的目的和意义 硅单晶是典型的元素半导体材料，具有优良的热性能与机械性能，易于长成大尺寸 高纯度晶体，是目前最重要、用途最广的半导体材料。在当今全球超过半导体市场中， 95% 以上的半导体器件和 99%以上的集成电路都是在硅单晶片上制作的， 在未来 30 年内， 它仍是半导体工业最基本和最重要的功能材料。 一般而言，硅单晶的电学性能对器件性能有决定性的作用，其中电阻率是最直接、 最重要的参数，直接反映出了晶体的纯度和导电能力。例如，晶体管的击穿电压就直接 与硅单晶的电阻率有关。在器件设计时，根据器件的种类、特性以及制作工艺等条件， 对硅单晶的电阻率的均匀和可靠都有一定的要求，因此，硅单晶电阻率的测试就显得至 关重要。目前测试硅单晶电阻率时，一般利用探针法，尤其是四探针法。该方法原理简 单，数据处理简便，使目前应用最广泛的一种测试电阻率的技术。 由于硅单晶电阻率与温度有关，通常四探针电阻率测量的参考温度为 23℃ 1℃，如 检测温度有异于该温度，往往需要进行温度系数的修正。原来 GB/T 1551 标准中直接规 定测试温度为 23℃ 1℃，对环境的要求过于严格，造成很多企业和实验室无法满足，因 此需要对标准测试温度进行修订，超出参考范围可以用温度系数修正公式修正。另外， 原标准四探针和两探针法的干扰因素没有考虑全面，修订后的新标准对干扰因素进行了 补充和修正。原标准的电阻率范围没有对 N 型硅单晶和 P 型硅单晶做出区分，由于 N 型 硅单晶电阻率比 P 型硅单晶电阻率范围大，所以应该对 N 型和 P 型范围区分界定。因此， 需要对该标准进行修订，以便更好满足硅单晶电阻率的测试要求。 该标准的修订将有利于得到硅单晶电阻率准确的测量结果，满足产品销售的要求， 为硅产业的发展提供技术保障。 2.任务来源 根据《国家标准委关于下达 2018 年第三批国家标准制修订计划的通知》 （国标委综 合 [2018] 60 号）的要求，由中国电子科技集团公司第四十六研究所负责修订《硅单晶电 阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》 ，计划编号为 T-469，要求完成时 间 2020 年 。 3.标准修订主编单位概况 中国电子科技集团公司第四十六研究所是我国最早从事半导体材料研究的单位之 一，于 1959 年拉制出国内第一颗硅（ Si ）单晶，是国内专业从事军用特种硅材料研制和 生产的单位，承担了国家各有关部门安排的大量科研项目研究及配套任务，其中多数达 到国内领先或国际先进水平。无论是硅晶体生长还是加工技术都具有完整的生产线。硅 单晶材料测试方面，2010 年中国电科 46 所质检中心通过国家认证认可监督管理委员会的 CNAS 实验室认可，成为国际间互认的实验室（中国电子科技集团公司第四十六研究所 中世博实验室），2014 年 3 月得到国家认监委 CAL 授权，正式挂牌“国家电子功能及辅 助材料质量监督检验中心” ，有完整的半导体材料测量设备和仪器，多年来，凭借自身的 技术优势，为国内外客户提供了大量的检测服务。 本单位拥有一批高素质的科研、生产和管理专业人才，曾制（修）订了多项硅单晶 材料测试标准，填补了多项国内相关测试标准空白，有丰富的制（修）订标准的经验。 4.主要工作过程 本标准的修订工作由要由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。 为顺利完成该项工作， 2018 年 12 月本标准起草单位 （中国电子科技集团公司第四十 六研究所）组建了本标准起草工作组；起草工作组讨论并形成了修订本标准的工作计划 及与各参与单位的任务分工。 2019 年 4 月，起草工作组完成标准 《硅单晶电阻率的测定 直 排四探针法和直流两探针法