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屋面太阳能光伏发电系统的解决方案 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下: (1切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。 (2清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。 (3制备绒面:用堿溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 (4磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。 (5周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀 去除周边扩散层。 (6去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。 (7制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是 大量采用的工艺方法。 (8制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上复盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2,SiO2 ,Al2O3,SiO,Si3N4,TiO2,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷 涂法等。 (9烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 (10测试分档:按规定参数规范,测试分类。 由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加 工精度远低于积体电路芯片的制造要求,这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。 单晶硅和多晶硅的区别 单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面 取向相同的芯片,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的芯片,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主 要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料 。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大型积体电路的要求更高 ,硅的纯度必须达到九个9。目前,人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。单晶硅是电子电脑、自动控制系统等 现代科学技术中不可缺少的基本材料。 高纯度硅在石英中提取,以单晶硅为例,提炼要经过以下过程:石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一 单晶硅一硅片切割。 冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%, 但半导体工业用硅还必须进行高度提纯(电子级多晶硅纯度要求11个9,太阳能电池级只要求6个9。而在提纯过程中 ,有一项“三氯氢硅还原法(西门子法”的关键技术我国还没有掌握,由于没有这项技术,我国在提炼过程中70%以 上的多晶硅都通过氯气排放了,不仅提炼成本高,而且环境污染非常严重。我国每年都从石英石中提取大量的工业硅 ,以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国,而这些国家把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料,以46-80美元 /公斤的价格卖给我国的太阳能企业。 得到高纯度的多晶硅后,还要在单晶炉中熔炼成单晶硅,以后切片后供积体电路制造等用。 单晶硅与多晶硅电池片的区别 由于单晶硅电池片和多晶硅电池片前期生产工艺的不同,使它们从外观到电性能都有一些区别。从外观上看:单晶 硅电池片四个角呈圆弧状,表面没有花纹;多晶硅电池片四个角为方角,表面有类似冰花一样的花纹。 对于使用者来说,单晶硅电池和多晶硅电池是没有太大区别的。单晶硅电池和多晶硅电池的寿命和稳定性都很好。 虽然单晶硅电池的平均转换效率比多晶硅电池的平均转换效率高l%左右,但是由于单晶硅太阳能电池只能做成准正 方形(其4个角是圆弧,当组成太阳能电池元件时就有一部分面积填不满,而多晶硅太阳能电池是正方形,不存在这 个问题,因此对于太阳能电池元件的效率来讲几乎是一样的。另外,由于两种太阳能电池材料的制造工艺不一样,多 晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右,所以多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池 总产量的份额越来越大,制造成本也将大大小于单晶硅电池,所以使用多晶硅太阳能电池将更节能、更环保。 逆变器的概念 逆变是针对整流而言的,整流器把交流电能变换成直流电能的过程称为整流。那么把直流电能变换成交流电能的过 程就称为逆变了,把完成逆变功能的电路称为逆变电路,把实现逆变过程的装置称为逆变器。 在太阳能光伏发电系统中为什么一定要采用光伏逆变器呢?目前我国发电系统主要是直流系统,即将太阳能电池发 出的电给蓄电池充电,而蓄电池直接给负载供电,如我国西北地方使用较多的太阳照明系统以及远离电网的微波站供 电系统均为直流系统。此类系统结构简单,成本低廉,但由于负载直流电压的不同(如12v、24v、48V等,很难实现 系统的标准化和相容性。特别是家