DCDC 电源芯片内部结构全解.docxVIP

作为一名 \t "/_blank" 电源研发工程师，自然经常与各种 \t "/_blank" 芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到 Datasheet 的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。今天以一颗 DC/DC 降压电源芯片 LM2675 为例，尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构，IC 行业的同学随便看看就好，欢迎指教！LM2675-5.0 的典型应用 \t "/_blank" 电路打开 LM2675 的 DataSheet，首先看看框图这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块，BUCK 结构我们已经很理解了，这个芯片的主要功能是实现对 MOS 管的驱动，并通过 FB 脚检测输出状态来形成环路控制 PWM 驱动功率 MOS 管，实现稳压或者 \t "/_blank" 恒流输出。这是一个非同步模式电源，即续流器件为外部 \t "/_blank" 二极管，而不是内部 MOS 管。下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的一、基准电压类似于板级电路设计的基准电源，芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，因为这个电压值和硅的带隙电压相近，因此被称为带隙基准。这个值为 1.2V 左右，如下图的一种结构：这里要回到 \t "/_blank" 课本讲公式，PN 结的电流和电压公式：可以看出是指数关系，Is 是反向饱和漏电流（即 PN 结因为少子漂移造成的漏电流）。这个电流和 PN 结的面积成正比！即 Is-》S。如此就可以推导出 Vbe=VT*ln（Ic/Is） ！回到上图，由运放分析 VX=VY，那么就是 I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为 M3 和 M4 的栅极电压相同，因此电流 I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln（N/R1） N 是 Q1 Q2 的 PN 结面积之比！回到上图，由运放分析 VX=VY，那么就是 I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为 M3 和 M4 的栅极电压相同，因此电流 I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln（N/R1） N 是 Q1 Q2 的 PN 结面积之比！这样我们最后得到基准 Vref=I2*R2+Vbe2，关键点：I1 是正温度系数的，而 Vbe 是负温度系数的，再通过 N 值调节一下，可是实现很好的温度补偿！得到稳定的基准电压。N 一般业界按照 8 设计，要想实现零温度系 数，根据公式推算出 Vref=Vbe2+17.2*VT，所以大概在 1.2V 左右的，目前在低压领域可以实现小于 1V 的基准，而且除了温度系数还有电源纹波抑制 PSRR 等问题，限于水平没法深入了。最后的简图就是这样，运放的设计当然也非常讲究：如图温度特性 \t "/_blank" 仿真：二、 \t "/_blank" 振荡器?OSC 和 PWM我们知道 \t "/_blank" 开关电源的基本原理是利用 PWM 方波来驱动功率 MOS 管，那么自然需要产生振荡的模块，原理很简单，就是利用电容的充放电形成锯齿波和比较器来生成占空比可调的方波。最后详细的电路设计图是这样的：这里有个技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于 50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，我也是粗浅了解，有兴趣同学可详细学习。三、误差 \t "/_blank" 放大器误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动 MOS 管的 PWM，如简图：四、驱动电路最后的驱动部分结构很简单，就是很大面积的 MOS 管，电流能力强。五、其他模块电路这里的其他模块电路是为了保证芯片能够正常和可靠的工作，虽然不是原理的核心，却实实在在的在芯片的设计中占据重要位置。具体说来有几种功能：1、启动模块启动模块的作用自然是来启动芯片工作的，因为上电瞬间有可能所有 \t "/_blank" 晶体管电流为 0 并维持不变，这样没法工作。启动电路的作用就是相当于“点个火”，然后再关闭。如图：上电瞬间，S3 自然是打开的，然后 S2 打开可以打开 M4 Q1 等，就打开了 M1 M2，右边恒流源电路正常工作，S1 也打开了，就把 S2 给关闭了，完成启动。如果没有 S1 S2 S3，瞬间所有 \t "/_blank" 晶体管电流为 0。2、 \t "/_