Ⅱ-Ⅵ族半导体单晶电子自旋动力学.pdfVIP

摘要 摘 要 II-VI 族化合物CdS 和ZnO 是常见的宽带隙半导体，具有重要的光电应用。 它们具有较小的自旋轨道耦合能，有望获得较长的自旋弛豫时间。本论文利用时 间分辨法拉第/克尔旋转光谱技术较为全面的研究了n 型CdS 单晶和ZnO 单晶的 电子自旋相干动力学，主要研究内容及成果如下： （1） 系统研究了六方纤锌矿n 型CdS 单晶在不同温度、不同激光波长下的电 子自旋相干特性。发现在低温下存在两种自旋信号，一种为较短泵浦探测 波长下存在短寿命自旋信号，其自旋退相位时间约为40 ps ，该自旋信号 可以持续到室温，几乎不受温度的影响。另一种为较长泵浦探测波长下存 在长寿命自旋信号，在温度为5 K 时自旋退相位时间长达4.8 ns ，随温度 升高逐渐减小。经研究发现，长寿命自旋信号来自局域电子，短寿命自旋 信号来自导带自由电子。 （2 ） 在室温条件下研究了六方纤锌矿n 型ZnO 单晶在不同波长、不同磁场、 不同泵浦光激发功率、不同面内角下的电子自旋相干动力学。实验发现， 电子