GaAs太阳电池结构讲义.pptVIP

在传统单结太阳电池的设计上，通常要选用带隙大小位于整个太阳辐射光谱中间的材料，才可达到最大的理论效率。也就是说，最佳的太阳电池材料的带隙约为1.4～1.5eV之间。;由于单结太阳电池只能吸收和转换特定光谱范围的太阳光，因此能量转换效率不高。 多结太阳能电池，按带隙宽度大小从上至下叠合起来，选择性的吸收和转换太阳光谱的不同能量，就能大幅度提高电池的转换效率。;共享优质文章 内容仅供学习;1、GaAs太阳电池的结构;1、GaAs太阳电池的结构;1、GaAs太阳电池的结构;小结; LPE是NELSON在1963年提出的一种外延生长技术。其原理是以低熔点的金属(如Ga 、In 等)为溶剂,以待生长材料(如GaAs、Al 等) 和掺杂剂(如Zn、Te 、Sn 等)为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态,通过降温冷却使溶质从溶剂中析出,结晶在衬底上,实现晶体的外延生长。 ; LPE技术优缺点：;MOCVD是MANASEVIT在1968年提出的一种制备化合物半导体薄层单晶的方法。 其原理是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物Ga(CH3)3、Al(CH3)3、Zn(C2H5)2等和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物(PH3、AsH3、H2Se) 等作为晶体生长的源材料,以热分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生长Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元、四元化合物半导体薄膜单晶。;