正性光刻胶与5mask简介.pptVIP

Outline Array 5 mask Array 4 mask PR PR 的工 作原理 PR Test 1. Metal 1 (GATE) : 镀上 Mo ( 钼 ) ， Al( 铝 ) 2. G : Gate SiNx ( 氮矽化合物，绝缘层 ) I : ? -Si ( 非结晶矽，通道层 ) N : N+ ? -Si ( 高浓度磷 (PH 3 ) 的矽 ) 降低界面电位差 , 使成为欧姆接触 (ohmic contact) 3. Metal 2 (source,drain) :Mo( 钼 ),Al 4. Passivation (Via): SiNx ，保护层 , 把金属盖住 , 另 有 Via 和 ITO 连通 5. ITO ( 画素电极 ) 1 Array 5 mask 简介 工艺流程 Photo Resist Thin Film Glass 曝光 Light Photo Mask 剥膜 Thin Film Glass 成膜 Photo Resist 显影 蚀刻 2020/4/9 UPK( 清洗玻璃 ) M1Suppter(PVD) 涂布 , 曝光 , 显影 Wet etch STP( 去光阻 ) Metal 1 process A B Mo/Al Mo 在 Al 上层 避免 Al 氧 化 2.38%TMAH Al 蚀刻液 ( 磷酸，醋酸，硝酸 ) Stripper- 剥离液： MEA+DMSO(7:3) 2020/4/9 GIN process A B GIN sputter CVD （化学气相沉积） Photo( 涂布 , 曝光 , 显影 ) Dry etch STP( 去光阻 ) SF 6 /Cl 2 ， SiF 4 ， SiCl 4 2020/4/9 Metal sputter （ Mo/Al/Mo) Photo( 涂布 , 曝光 , 显影 ) WET(M2 湿蚀刻 ) DET(N+ 蚀刻 ) STP( 去光阻 ) A B Metal 2 process 2020/4/9 A B CVD SiNx Photo( 涂布 , 曝光 , 显影 ) DET(Pass 蚀刻 ) STP( 去光阻 ) Pass process 2020/4/9 A B ITO sputter (PVD) Photo( 涂布 , 曝光 , 显影 ) WET(ITO 湿蚀刻 )) STP( 去光阻 ) OVN(ITO oven) ITO process 2020/4/9 2 Array 4 mask 2020/4/9 2020/4/9 3 正型 PR 成份介绍 ? 定义 光刻胶 (Photoresist 简称 PR) 又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏 感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发 生变化。 ? 作用 a 、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中； b 、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。 2020/4/9 ? 成份 树脂 20% 感光剂 5% 溶剂 75% 添加剂 ppm~% PAC type 成份比例 树脂 感光剂 溶剂 添加剂 树脂 感光剂 溶剂 添加剂 粘附性、胶膜厚度 曝光时间、光线强度 赋予组合物流动性 如防止 PR 反射等特性 2020/4/9 4 正型 PR 的工作原理 Esterification 2020/4/9 UV N 2 Wolff 重组 H 2 O NaOH (CH 3 ) 4 NOH TMAH 2020/4/9 5 PR Test Test EOP Margin Thermal Stability Film Loss Stripper Test Resoluti -on 涂布 Pre-bake 曝光 显影 Post-bake Stripper 2020/4/9 ? EOP Test EOP Test ：将光罩上的图案按 1/1 比例映射在 PR 上的光罩能量 2020/4/9 ? Margin Test Margin Test ：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下， PR 显影 后的 CD 变化 2020/4/9