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场效应管工作原理（1） 　　场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写 (FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载 流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与 导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、 噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶 体管和功率晶体管的强大竞争者。 一、场效应管的分类 　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET） 则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是 MOS 场效应管，简 MOS 管（即金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS 和 VMOS 功率场效应管，以及最近 刚问世的πMOS场效应管、VMOS 功率模块等。 　　按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管 又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管。而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增 强型；P 沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 　　现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表 绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D 是 P 型硅，反型层是 N 沟道；C 是 N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D 是 结型 N 沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型 N 沟道场效应三极管。 　　第二种命名方法是 CS××#，CS 代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中 的不同规格。例如CS14A、CS45G 等。 三、场效应管的参数 场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 U GS=0 时的漏源电流。 2、U — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 P 3、U — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 T 4、g — 跨导。是表示栅源电压 U — 对漏极电流 I 的控制能力，即漏极电流 I 变化量与栅源电压 U M GS D D GS 变化量的比值。g 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 M 5、BU — 漏源击穿电压。是指栅源电压 U 一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项 DS GS 极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 BUDS。 6、P — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用 DSM 时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。 7、I — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效 DSM 应管的工作电流不应超过 IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数 四、场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用 电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 五、场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别： 　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于 R×1k 档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ 时，则这两个管脚为漏极 D 和源极 S （可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4 个管脚的