GaN光电半导体原理New.docVIP

目 錄 前言……………………………………………………………….1 GaN成長在有緩衝層的藍寶石基板上……………………...6 (1)TF-MOCVD……………………………………………..…..6 (2)即時膜厚偵測系統………………………………………….8 (3)霍爾量測………………………………………………….....9 (4)光致發光(PL)……………………………………………....10 (5)GaN成長在緩衝層的基板上……………………….…...11 起源……………………………………………….…..11 AlN緩衝層……………………………………..….…13 GaN緩衝層……………………………………...…..14 AlN與GaN緩衝層之比較………………….……...15 三、n-type GaN and p-type GaN…………………………..……..17 (1)n-type GaN…………………………………………….…….17 (2)p-type GaN……………………………………………….….18 心得與建議……………………………………………………….22 一、前言 由於Ⅲ－Ⅴ族半導體具有直接能隙，適合發展發光元件，如發光二極體或半導體雷射等。而朝向更高亮度、更節省能源、更加方便、顏色種類更多是研究者的最終目的。氮化鎵(GaN)具有大的能階差以及直接能隙等優點，是現今製作藍綠光到紫外光的最好材料，而且氮化鎵(GaN)可以忍受非常高的長晶溫度(1000℃以上)、可以得到品質相當不錯的Film、硬度高所以試片不易受傷或破裂。 成長氮化鎵(GaN)的基板(Substrate)最好的選擇當然是使用氮化鎵的基板，但是氮化鎵基板製作的困難尚未克服，雖然日本的住友電工已在今年四月發表成功開發出單晶的氮化鎵基板，但是其品質、適用性與價格是否能夠符合要求仍是一個問題。因此目前仍然是使用其他材料的基板來成長氮化鎵，目前常用的基板有氧化鋁(Al2O3)即藍寶石(Sapphire)基材、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、硅(Si)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋁鎂(MgAl2O4)…..等。 使用最多的是藍寶石(Sapphire, Al2O3)基材，其原因是適用範圍大、容易清洗、處理以及有六角柱狀對稱結構(hexagonal symmetry)、並且在氮化鎵長晶溫度(1200℃)下非常穩定以及價格便宜等等優點。 雖然藍寶石(Sapphire, Al2O3)基材具有以上許多優點，但是由於氮化鎵和藍寶石基材的晶格常數相差約16.1%，而且兩者的熱膨脹係數也是相差很大(見下表一)，所以在成長的過程中便會產生很多缺陷，使得成長的品質下降。另外由於藍寶石基材是絕緣材料，因此無法將電極製作在晶片的上下兩面，只能在單面形成正極與負極，不但耗費時間，還增加了很多成本。 材料 結構 晶格常數(埃) 熱膨脹係數(*10-6/K) 氮化鎵 GaN Wurtzite a = 3.189 c = 5.185 5.59 7.75 氧化鋁 Al2O3 Corundum a= 4.758 c = 12.99 7.28 8.11 表一：氮化鎵與氧化鋁之基本條件 以下介紹幾種成長氮化鎵的方法與其優缺點： (1) HVPE (hydride vapor phase epitaxy, 氫化物氣相磊晶) 使用含鎵(Ga-containing)如GaCl3、Ga(CH3)3等以及含氮(N-containing)的氣體平衡混合物(equilibrium mixture gas)在1000℃下形成GaN沉積在藍寶石(Sapphire)基材上。 缺點： 1.成長速率太快(several μm/min)，厚度不易控制。 2.因為反應會形成鹽酸(HCl)，會與反應物互相作用，所以不易 得到高純度結晶的GaN。 (2) MBE (molecular beam epitaxy, 分子束磊晶法) 優點： 1.可以控制成長時之組成。 2.容易監控。 缺點： 1.無法累積足夠的氮原子與Ga的來源進行反應。 2.成長速度太慢(0.1μm/hr)。 圖一：MBE之設備示意圖 (3) ECR (electron cyclotron resonance, 電子迴旋共振) 利用電漿激發(plasma excitation)來獲得足夠的氮原子。 優點： 1.適用於成長p-type GaN。 2.可得到高結晶度的GaN。 (4) MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition, 有機金屬