场效应晶体管参数测试仪的设计.pdfVIP

西 安 邮 电 大 学 毕 业 设 计（论 文） 题 目： 场效应晶体管参数测试仪的设计 院 （系）： 电子工程学院 专 业： 集成电路设计与集成系统 班 级： 学生姓名： 导师姓名： 职称： 起止时间： 目录 摘 要 场效应晶体管与普通晶体管相比，具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳 定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，具有与电子管相似的传输 特性。随着电子技术的飞速发展，场效应晶体管尤其是 MOSFET 已广泛应用 于电源、计算机、通信、汽车电子、工业控制及消费类电子产品等领域。因 此，对场效应晶体管相关参数的测试技术和测试手段的研究尤为重要。 本文介绍一种场效应晶体管参数测试仪的设计方法。以 51 单片机为控制 核心，通过测量电路将场效应晶体管的参数显示在示波器或数字显示表上。 系统由阶梯电压信号、扫描电压、可调稳压电源、保护电路等模块组成。可 以准确测量场效应晶体管的输出特性曲线、转移特性曲线、开启电压（夹断 电压）、饱和漏源电流（IDSS ）等参数。系统设计了保护电路，可以有效监测 器件的测量状态，并使用过流/过压保护功能来保护被测器件和测量系统的安 全。 关键词：场效应晶体管、参数测试、保护电路、51 单片机 I Abstract Comparing with ordinary transistor, the field-effect transistor has many advantages, such as high input impedance, low noise figure, good thermal stability and large dynamic range, which is a voltage-controlled device with the similar transmission properties of electron tube. With the rapid development of electronic technology, field-effect transistor, especially MOSFET has been widely used in the field of power supply, computer, communications, automotive electronics, industrial control and consumer electronics products. Therefore, research on testing techniques and test means of field-effect transistor parameters is particularly important. This article describes the design of a field effect transistor parameter tester. 51 microcontroller for the control of the core, the field-effect transistor measurement circuit parameters are displayed on the oscilloscope or digital display table. The system consists of the step voltage signal, the scan voltage adjustable power supply protection circuit module. Can a