新型传感器c第三章--电荷耦合器件10讲解学习.pptVIP

新型传感器c第三章--电荷耦合;精彩图片欣赏（4）;精彩图片欣赏（5）;精彩图片欣赏（6）;精彩图片欣赏（7）;精彩图片欣赏（8）是谁将美丽留;第一节 CCD的物理基础 ;电荷耦合器件（Charge C;具有以下一些特点：一般特性：体;一、稳态情况MOS结构的物理性;VG ＞0。MOS状态的定性分;在 n型p型之间仍是耗尽层。M;MOS达到稳定状态。MOS状态;耗尽层的宽度保持其最大值不变。;反型层状态的定量分析表面：MO;理论上，VGVth就使 MO;二、非稳态情况MOS结构的物理;达热平衡之前，MOS结构中是空;第二节 CCD的工作原理1、;2、这种二相电极结构减少时钟脉;二、CCD的电荷转移 1、三相;2、二相CCD的电荷转移;3、CCD的电荷输出 ;式中，gm为T1栅极与源极之间;4、CCD的特性参数没有被转移;4、CCD的特性参数2)、计算;2、计算式：N / f L ≤;2、计算式： Nmax= Co;设电极下氧化层厚度 d＝150;入射在CCD象元上的单位能流密;1、定义：在一定的测试条件下，;1、定义： 指器件在相同光能量;第三节 CCD器件一、典型的;无标题;双沟道线阵CCD结构;帧转移CCD结构行间转移CCD;二、典型的CCD器件及其驱动T;TCD142D驱动波形6、 ?;TCD142D驱动电路三、CC;第四节 CCD的应用一、尺寸;根据CCD