- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-8 pn结模型和模型参数
二. pn结二极管模型
2. 扩散电容CD
eIDQ e
理论分析 Cd = 简化分析 C I
2kT d kT DQ
Spice中扩散电容为:
D d
C =TT(e/kT) ID =TT g
其中模型参数TT称为渡越时间(Transit Time),单位为s
TT 的默认值为0
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-8 pn结模型和模型参数
二. pn结二极管模型
3. 势垒电容CJ
物理过程分析得 C =j
W(V )
0
(1) Spice中势垒电容基本表达式
为了描述与偏置电压关系,Spice中取:
C =Cj0(1-Va/VJ)-M
J
其中模型参数Cj0称为零偏势垒电容
Cj0的默认值为0
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-8 pn结模型和模型参数
二. pn结二极管模型
3. 势垒电容CJ
(2) 正偏情况势垒电容表达式
正偏电压较大时耗尽层近似与实际情况偏离较
J
大,需对C 表达式进行修正。
a
若 大于于FC*VJ
C =Cj0(1-FC)-(1+M)(1-FC(1+M)+MVa/VJ)
J
新增的模型参数FC称为势垒电容正偏系数。 FC的默认值为0.5。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-8 pn结模型和模型参数
二. pn结二极管模型
(4) pn结二极管的14个基本模型参数
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-8 pn结模型和模型参数
二. pn结二极管模型
(5) 讨论一:对模型参数含义的理解
对每个模型参数,应理解下述两个问题:
该参数反映的是pn结中哪个物理过程?
该参数主要影响pn结的哪些主要特性?
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-8 pn结模型和模型参数
原创力文档


文档评论(0)