68第6章2_半导体器件物理EM2模型.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 三、E-M2模型 在描述直流特性的EM-1模型基础上，再考虑串联电阻、势垒电容和扩散 电容的影响，就得到考虑寄生电阻和交流特性和瞬态响应的EM-2模型。 1. 串联电阻 考虑基区、发射区和集电区3个区域的串联电阻，新增3个模型参数： RB、RE和RC。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 三、E-M2模型 2. 势垒电容 反偏情况下势垒电容的一般表达式为：C ＝C (1-V/V )-mj J T0 J 包含3个模型参数：CT0 :零偏势垒电容； VJ :势垒内建电势； mj :电容指数。 对eb结势垒电容，新增3个模型参数： CTE0、VJE和MJE。 对bc结势垒电容，新增3个模型参数： CTC0、VJC和MJC 对IC考虑衬底结势垒电容，新增3个模型参数：CTS0、VJS和MJS 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 三、E-M2模型 2. 势垒电容 在正偏条件下，势垒电容的表达式为： C =C (1-F )-(1+mj)(1-F (1+mj)+mjV/V ) J T0 C C J 又新增一个模型参数FC(势垒电容正偏系数) 。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 三、E-M2模型 3. 扩散电容 发射结扩散电容为：C ＝ (eI /kT) de F CC 新增一个模型参数：TF(正向渡越时间) 集电结扩散电容为：C ＝ (eI /kT) dc R EC 新增一个模型参数：TR(反向渡越时间)。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 三、E-M2模型 4. 等效电路 在EM-1模型等效电路 中新增三个电阻、三个势 垒电容、两个扩散电容， 成为EM-2模型等效电路。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版