05第1章05_202势垒区电场.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-2 平衡pn结定量分析 三、突变pn结势垒区电场、电位定量分析 基于势垒区电荷分布，求解泊松方程，得到势垒区中电场、电位分布 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-2 平衡pn结定量分析 三、突变pn结势垒区电场、电位定量分析 预备知识：高斯定理与泊松方程 由高斯定理 Eds= dv  对一维情况: E(x+△x)A - E(x)A=(ρ(x) △xA)/ε E(x+x)-E(x) (x) dE(x) (x) 即： = 若△x→0 ，得： = x  dx  2 又由 E(x)=- d(x) 得泊松方程： d (x) =- (x) dx dx2  半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-2 平衡pn结定量分析 三、突变pn结势垒区电场、电位定量分析 1. 数学模型：泊松方程与边界条件 由空间电荷区电荷分布 -eN (-x  x 0)  a p x ( )=    +eN (0 x x )  d n  2 d  (x) dE (x) eN 2  1 =- 1 = a (-xp  x  0) d (x) (x)  2 d x dx  代入 2 =- 得：  2 ( ) ( ) dx  d  x dE x eN 2 2 d   =- =- (0 x x )  2 n