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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-2 平衡pn结定量分析
四、突变pn结势垒区宽度定量分析
1. 定量分析
e 2 2
V = (N x +N x )
由Vbi 表达式： bi 2 d n a p
以及电中性条件：eN x =eN x
a p d n
求解得两个未知数x 和x （取有意义的解），得：
p n
2 (N +N )
W=(x +x )= V ( )( a d )
0 p n bi e N N
a d
以及 Nd Na
x W0 x W
p (N N ) n (N N ) 0
a d a d
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-2 平衡pn结定量分析
四、突变pn结势垒区宽度定量分析
2. 结果讨论
2 (N +N ) Nd Na
a d
W= V ( )( ) x W xn W0
0 bi e N N p (N N ) 0 (N N )
a d a d a d
(1)单边突变结情况： 若N N ，得
d a
2 1 1
W=(x +x ) x W V ( )( )
0 p n p 0 bi e N N
a a
结论：单边突变结的势垒区宽度主要在轻掺杂一侧
而且与轻掺杂一侧的掺杂浓度开方成反比。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-2 平衡pn结定量分析
四、突变pn结势垒区宽度定量分析
2. 结果讨论 2 (N +N )
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