70第6章4_分立与集成BJT器件结构.pdf

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2020-08-18 发布于广东
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知识点名称半导体器件物理(1) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图一、分立器件BJT结构 1. 形成pn结的选择性掺杂包括氧化、光刻、掺杂三道工序。其中光刻工序确定刻蚀窗口范围的是“版图”中的图形。半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图一、分立器件BJT结构 1. 形成pn结的选择性掺杂为了方便起见，采用剖面图显示内部pn结结构。半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图一、分立器件BJT结构分立BJT 2. 分立器件BJT剖面结构 BJT包括两个pn结，因此只要进行两次选择性掺杂就可以形成双极晶体管结构。衬底为集电区发射极和基极从芯片表面引出。集电极从底部引出半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图一、分立器件BJT结构分立外延BJT 分立BJT 3. 分立器件外延BJT剖面结构按照第3章和第4章内容，为了解决功率与频率特性之间的矛盾，制造高频-大功率BJT，需要采用外延结构BJT。半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图一、分立器件BJT结构分立外延BJT 分立BJT 3. 分立器件外延BJT剖面结构衬底上生长外延层 BJT两个pn结制作在外延层中半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图二、集成电路中BJT结构 1. 集成电路中BJT结构附加要求 (1) 隔离在同一个Si衬底材料中制作的多个BJT需要实现电学隔离。早期采用pn结隔离技术，目前出现了多种隔离效果更好的隔离技术。 (2) npn晶体管集电区埋层的引入为了实现多个器件之间的互连，所有BJT的集电极均从表面引出。为了减小集电区串联电阻Rc，需要采用集电区埋层。半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图知识点名称 6-2 BJT版图二、集成电路中BJT结构分立外延BJT 集成电