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知识点名称
半导体器件物理(1)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
“双极（Bipolar）”晶体管指两种极性载流子（电子和空穴）都参与电流输
运的晶体管。
1948年美国Bell实验室科学界发明的晶体管是一种“点接触”晶体管。
1950年出现了采用两个具有面接触特点的pn结组成的晶体管，称为双极结型
晶体管（Bipolar Junction Transistor，缩写为BJT）。
目前得到广泛应用的是双极结型晶体管，即BJT。
由于点接触晶体管工作非常不稳定，早已退出历史舞台，因此目前“双极晶
体管”就是指“双极结型晶体管”，英文名称缩写仍然采用BJT。
半导体器件物理(I)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
2-1 BJT直流放大原理定性分析
一、平面工艺IC中的BJT结构特点
1. 双极晶体管的基本结构
(1) NPN和PNP晶体管及其代表符号
BJT由两个背靠背的pn结构成。
晶体管三个区域分别称为发射区、
基区和集电区。
晶体管三个引出端分别称为发射
极、基极和集电极。
半导体器件物理(I)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
2-1 BJT直流放大原理定性分析
一、平面工艺IC中的BJT结构特点
1. 双极晶体管的基本结构
(1) NPN和PNP晶体管及其代表符号
说明：发射区和发射极的英文名称
均为Emitter。
基区和基极的英文名称均为Base。
集电区和集电极的英文名称均为
Collector。
半导体器件物理(I)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
2-1 BJT直流放大原理定性分析
一、平面工艺IC中的BJT结构特点
1. 双极晶体管的基本结构
(2) 双极晶体管的结构特点
适用的BJT结构需满足两个条件
基区宽度远小于基区少子扩散长度
B B
x L 。
B C
N N N 。
++ +
对npn晶体管，可标识为 n p n
半导体器件物理(I)
第2章 双极晶体管直流放大特性 知识点名称
2-1 BJT直流放大原理定性分析
一、平面工艺IC中的BJT结构特点
1. 双极晶体管的基本结构
(3) IC中的BJT
影响双极晶体管特性的主要因素是基区中少数载流子的输运。
由于电子扩散系数比空穴高，使得npn晶体管特性优于pnp晶体管，
因此在IC设计中尽量采用npn晶体管。
双极IC的基本工艺流程是针对npn晶体管设计的，在形成npn晶体管
的同时生成pnp晶体管，因此双极IC中npn晶体管特性明显优于pnp。
本章以npn晶体管为对象介绍双极晶体管的工作原理。
半导体器件物理(I)
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