64第5章4_导通到断开过程分析.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-2 BJT的的开关过程分析 二、从导通到断开的过程分析 高电平作用下BJT处于稳定的导通状态。 记t=t3 时输入端从高电平转为低电平，BJT将要从饱和（对应导通工作状态） 转为截止（对应断开工作状态） 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-2 BJT的的开关过程分析 二、从导通到断开的过程分析 分析BJT从饱和转变为截止过程中基区少子分布变化 过程不同阶段的特点，可以确定这一过程中输出端电流 IC随时间变化的情况。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 ③ ④ 第④阶段：脱离饱和状态，基区少子分布斜直线平行下移，直到第③阶段存 储的电荷QBX被全部“抽走”，BC结转向0偏。 在第④阶段中IC基本不变。 第5章 BJT开关特性 知识点名称 ③ ④ 注意：从t=t 开始的一段时间内，输入已经为低电平，但是输出电流I 仍然较大， 3 C 器件还是处于导通状态。这段时间称为存储时间。 QBX越多，则存储时间越长。 第5章 BJT开关特性 知识点名称 ③ ④ ⑤ 第⑤阶段：从临界放大状态转向BE结0偏，基区少子分布斜率逐步变小。 IC不断减小。 第5章 BJT开关特性 知识点名称 ③ ④ ⑤ ⑥ 第⑥阶段：BE结转为反偏，两个结均反偏，器件截止，真正成为“断开”状态。 I 很小。 C 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-2 BJT的的开关过程分析 说明： 前面瞬态过程分析重点围绕基区少子的变化情况，这是主要影响因素。 实际情况下，发射区和集电区少子分布也发生类似变化。 同时BE结和BC结两个势垒区宽度也会发生变化，伴随有两个势垒电容的 充放电。 这些因素只是使得前面分析中各个阶段的转变过程更长，并不会影响输出 电流变化的趋势。 思考题：结合BJT输出特性曲线，说明转变过程中涉及的6个阶段对应BJT的 工作点在负载线上如何变化？ 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-2 BJT的的开关过程分析 上面分析了BJT从导通到断开的瞬态过程。 下一个知识点将说明采用哪些参数表征BJT的开关特性。 半导体器件物理(I)