09第1章09_302理想on结数学模型.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性 二、求解理想pn结直流特性的数学问题 为了求解pn结直流伏安特性，需要正确 理解少子连续性方程，并确定少子边界条件。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性 二、求解理想pn结直流特性的数学问题 1. 直流情况下少子连续性方程 以n区少子空穴为例，确定直流情况下少子空穴连续性方程 n区少子空穴连续性方程的一般形式 p (xt, ) 1 J (xt, ) n  p  G ( x x ) t e x p n 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 p (xt, ) 1 J (xt, ) n  p  G ( x x ) t e x p n (1) 对连续性方程的解读 方程左边表示x处空穴浓度p(x,t)随时间的“增加率”。 方程右边的两项分别说明p(x,t)随时间“增加”的两个原因： 第一个原因是由于单位时间内流进x处的空穴流“大于”流出的空穴流，导 致x处的空穴“增加率”为： J (xt, )-J (x+xt, ) J 1 J p p /e ( p )/e= p    x x e x 第二项描述第二个原因是该处具有“净产生率”G p 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 p (xt, ) 1 J (xt, ) n  p  G ( x x ) t e x p n (2) 直流情况下n区中少子空穴连续性方程 对直流情况，电流和少子分布均与时间无关： 2 d p (x)  p (x) D n  n =0 (x  x ) 代入连续性方程，得： p dx2  n p 半导体器件物理(I) 第1章 pn结