67第6章1_半导体器件物理EM1模型.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 第2章到第5章分析了BJT的放大特性、频率响应、功率特性以及瞬态响应。 本章作为对BJT各种特性的总结和综合应用，涉及两方面内容: (1) 结合得到广泛应用的电路模拟仿真软件Spice，介绍该软件以及其不同 版本（包括Hspice、Pspice等）中采用的BJT器件模型和主要模型参数; (2) 结合pn结隔离双极集成电路工艺，介绍集成电路中采用的基本BJT版 图结构和特点。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 一、概述 1. E-M模型和G-P模型 通用的BJT模型主要有两种： (1) 由J. J. Ebers和J. L. Moll提出的E-M模型； (2) 由Gummel和Poon提出的G-P模型。 两种模型的结果和包含的模型参数基本一样，只是建立模型的过程不同。 其中E-M模型建立过程与BJT工作物理过程有直接联系，更易于理解。 本节针对通用电路模拟软件Spice中采用的模型为对象，介绍E-M模型。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 一、概述 2. 关于E-M模型 按照考虑物理效应内容的不同，E-M模型分为三个级别： (1) EM-1模型为描述BJT基本工作原理的直流特性模型; (2) 在EM-1模型基础上考虑串联电阻以及势垒电容和扩散电容就成为 EM-2模型; (3) 在EM-2模型基础上再考虑二阶效应就成为EM-3模型。 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 二、E-M1模型 基本关系式 针对npn晶体管 1. ( ) 说明：符号 、 分别表示相应势垒区两端（不是引出端）电压。 Vb’e’ Vb’c’ 电流定义方向为流进电极电流为正。 若偏置为： b’e’ b’c’ 流过 结的电流为： V ≠0, V =0 BE IF=IES[exp(eVb’e’/kT)-1] 则 I = -I , I =α I E F C F F 半导体器件物理(I) 第6章BJT模型和BJT版图 知识点名称 6-1 E-M模型 二、E-M1模型 基本关系式 针对npn晶体管 1. ( ) 说明：符号 、 分别表示相应势垒区两端（不是引出端）电压。 Vb’e’ Vb’c’ 电流定义方向为流进电极电流为正。 若偏置为： b’e’ b’c’ 流过 结的电流为：