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一、集成施密特触发器 由于施密特触发器的应用非常广泛 ，所以无论是在 TTL 电路中还是在 CMOS 电路中 ，都有单片集成 的施密特触发器产品。 图 9-1是 TTL 电路集成施密特触发器 7413 的电路图。因为在电路的输入部分附加了与逻辑功能 ，同 时在输出端附加了反相器 ，所以也把这个电路叫做施密特触发的与非门。在集成电路手册中把它归入与非 门一类中。 这个电路包含二极管与门、施密特电路、电平偏移电路和输出电路 4 个部分。其中的核心部分是 VT 、 1 VT 、R 、R 和 R 组成的施密特电路。 2 2 3 4 施密特电路是通过公共发射极电阻耦合的两极正反馈放大器。假定三极管发射结的导通压降和二极管 的正向导通压降均为 0.7V ，那么当输入端的电压使得 v v v  0.7V I E BE1 v v  0.7V 则VT 将截止而VT 饱和导通。若 逐渐升高并使 时，VT 进入导通状态，并有如下的正反馈 1 2 I BE1 1 过程发生有缘学习+V星ygd3076或关注桃报：奉献教育（店铺） 图 9-1 带与非功能的TTL集成施密特触发器 vI↑ iC1↑ vC1↓ iC2 ↓ vBE1↑ vE ↓ 从而使电路迅速转为 VT 饱和导通、VT 截止的状态。 1 2 v v 0.7V i 若 从高电平逐渐下降 ，并且降到 只有 左右时 ， 开始减少 ，于是又引发了另一个正反馈 I BE1 C1 过程。 vI↓ iC1↓ vC1↑ iC2 ↑ vBE1↓ vE ↑ 使电路迅速返回VT 截止、VT 饱和导通的状态。 1 2  v 可见 ，无论 VT 由导通变为截止还是由截止变为导通 ，都伴随有正反馈过程发生 ，使输出端电压 的 2 O 上升沿和下降沿都很陡。 同时 ，由于 ，所以VT 饱和导通时的 值必然低于 VT 饱和导通时的 值。因此 ，VT 由截 R2  R3 1 vE 2 vE 1 止变为导通时的输入电压V  高于 VT 由导通变为截止时的输入电压V  ，这样就得到了施密特