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顺序存取存储器 （SAM） 顺序存取存储器 （SAM ）由动态移存器组成。动态移存器电路简单 ，适合大规模集成。它利用 MOS 管和基片之间的输入电容暂存信息。动态移存器由动态 CMOS反相器串接而成。 1 ．动态 CMOS反相器 （1 ）电路结构 动态 CMOS反相器的一种电路结构如图 6-1所示。它由传输门TG及 CMOS反相器 VT 、VT 组成 ， 1 2 传输门TG相当于串接在 VT 、VT 输入端的可控开关 ，由CP控制。栅极电容 C 是存储信息的主要 “元 1 2 件”，由于 C是 VT 与 VT 栅极的寄生电容 ，所以用虚线表示。 1 2 图 6-1 动态 CMOS反相器 （2 ）MOS管栅极电容 C 的暂存作用 若输入信号 v 为高电平 ，当 CP = 1时 ，传输门TG导通 ，输入信号对栅极电容充电到高电平 ，由于i 充电电阻很小 ，所以充电迅速 ，一般 CP的正脉冲宽度只要几微秒。 当 CP =0 时 ，TG关断 ，C 经栅极对地漏电阻 R放电。由于漏电阻的阻值极大 ，通常R  1010 Ω ，故 放电时间常数 RC较大。所以VT 管的输入电压要经过很长时间 ，才能下降到其输入高电平的下限值。可 1 见 ，只要使 TG短暂导通 ，就能靠栅极电容 C 的电荷存储效应暂存信息。 若在输入电压下降到反相器输入高电平的下限值之前 ，再送一个 CP ，使 C 上的电荷得到补充 ，就可 使反相器继续保持输出0。所以为了长期保持电容 C 的高电平 ，需要每隔一定时间对 C补充一次电荷 ，通 常称之为 “刷新”。显然 ，CP的周期不能太长 ，一般小于 1ms。 2 ．动态 CMOS移存单元 动态 CMOS移存单元的一种结构形式如图6-2所示。它由两个动态 CMOS移存单元串接成主从结构 ， TG 、VT 、VT 构成主动态 CMOS反相器 ；TG 、VT 、VT 构成从动态 CMOS反相器。 1 1 2 2 3 4 图 6-2 动态 CMOS移存单元 动态 CMOS移存单元的工作原理与主从 D触发器相似 ，当 CP =1时 ，TG 导通 ，输入数据存入栅极 1 电容 C ；而 TG 关断 ，栅极电容 C 上的信息不变。这时主动态 CMOS反相器接收信息 ；从动态 CMOS 1 2 2 反相器保持原状态。 当 CP = 0 ，TG 关断 ，封锁输入信号 ；TG 导通 ，C 上的信息经 VT 、VT 反相器传输到 C ，再经 1 2 1 1 2 2 VT 、VT 反相输出。这时主动态 CMOS反相器保持原状态 ；从动态反相器 CMOS 随主动态 CMOS反相 3 4 器变化。如此经过一个 CP的推动 ，数据即可向右移动一位。 3 ．动态移存器和顺序存取存储器 动态移存器可用动态 CMOS移存单元串接而成 ，如图 6-3所示是由 1024 个动态 CMOS移存单元串 接成的 1024 位 CMOS动态移存器。 图 6-3 1024 位动态移存器示意图 图 6-4 是用 8条 1024 位动态移存器和控制电路构成的 SAM。它有循环刷新、读、写三种工作方式。 图 6-4 1024×8位 FIFO 型 SAM （1 ）循环刷新 当片选端为 0 时 ，SAM未被选中 ，G 、G ～G 、G ～G 被封锁 ，G ～G 打开 ，所以不能从数