3.4.3位错的运动材料力学.pdf

材料科学基础 有缘学习更多驾卫星ygd3076或关注桃报：奉献教育（店铺） 第 3 章 3.4.3位错的运动 位错的运动 晶体中的位错力图从高能量位置转移到低能位置，在 适当条件下，位错会发生运动。 位错在晶体中的运动有两种方式 滑移 攀移 位错的滑移运动 位错沿某些特殊晶面（滑移面 ）的移动称为滑移，滑 移按一定的方向进行（滑移方向 ）。 只有当滑移面上的切应力分量达到一定值（临界分切 应力τc ），位错才能滑移。 晶体上下两部分相对滑动一定距离，在晶体产生宏观 可见台阶，使其发生塑变。 位错具有易动性 刃位错的滑移             螺位错的滑移         滑移的特点 位错线附近原子进行微小移动，远离的原子并不移动。 位错从一个平衡位置移至另一个平衡位置，原子没有扩散。 任意原子的运动距离不超过伯氏矢量。 可造成晶体表面台阶。 滑移的特点 滑移的特点 位错滑移是在其滑移面上进行的。 位错线与伯氏矢量构成的晶面称该位错的滑移面。(可滑移面) 晶体的滑移面通常是晶体中的原子密排面。 位错线的滑移方向总是该位错的法线方向。 位错的攀移 只有刃位错能发生攀移 刃位错沿垂直滑移面的方向进行的运动称攀移 位错的攀移机制 攀移是通过原子扩散实现的 实质是半原子面的扩展和收缩 移攀有正、负。 位错的攀移 位错的攀移 攀移过程是空位的运输过程，引起体积变化。 攀移过程需要热激活以产生大量空位，且空位数量及其运 动速度对温度敏感。攀移往往是在高温下进行的。 攀移过程是逐渐的，位错线不是同步升、降。 当晶体中存在过饱和空位时，空位向刃位错的扩散是降低 空位浓度的有效方法之一。 位错的攀移 除温度外，施加正应力也有助于刃位错的攀移 压应力 υ 拉应力 有助于 σ σ 有助于 正攀移 负攀移