LED恒流驱动器件MOSFET选择.pdf

. LED 恒流驱动器件 MOSFET 选择 ? 常用的是 NMOS. 原因是导通电阻小，应用较为广泛，也符合 LED 驱动 设计要求。 所以 开关电源 和 LED 恒流 驱动 的应用中，一般都用 NMOS. 下面的介绍中，也多以 NMOS 为主。 功率 MOSFET 的开关 特性： MOSFET 功率场效应 晶体管 是用栅极电压来控制漏极电 流的， 因此它的一个显著特点是驱动电路简单， 驱动功耗小。 其第二个显著特点是开关速度 快，工作频率高，功率 MOSFET 的工作频率在下降时间主要由输入回路时间常数决定。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在 使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些， 但没有办法避免 .MOSFET 漏极和源极之间 有一个寄生二极管。 这个叫体二极管，在驱动感性负载， 这个二极管很重要。体二极管只在 单个的 MOS 管中存在，在 集成电路 芯片内部通常是没有的。 MOS 管是电压驱动器件，基本不需要激励级获取能量，但是功率 MOSFET 和双极型 晶体管不同， 它的栅极电容比较大， 在导通之前要先对该电容充电， 当电容电压超过阈值电 压（ VGS-TH ）时 MOSFET 才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保 证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容（ CEI ）的充电。 MOSFET 的开关速度和其输入电容的充放电有很大关系。使用者虽然无法降低 Cin 的 值，但可以降低栅极驱动回路信号源内阻 Rs 的值，从而减小栅极回路的充放电时间常数， 加快开关速度。 一般 IC 驱动能力主要体现在这里， 我们谈选择 MOSFET 是指外置 MOSFET 驱动恒流 IC. 内置 MOSFET 的 IC 当然不用我们再考虑了，一般大于 1A 电流会考虑外置 MOSFET. 为了获得到更大、更灵活的 LED 功率能力，外置 MOSFET 是唯一的选择方式， IC 需要合适的驱动能力， MOSFET 输入电容是关键的参数！ 下图 Cgd 和 Cgs 是 MOSFET 等效结电容。 . . 一般 IC 的 PWM OUT 输出内部集成了限流电阻，具体数值大小同 IC 的峰值驱动输出 能力有关，可以近似认为 R=Vcc/Ipeak. 一般结合 IC 驱动能力 Rg 选择在 10- 20 Ω左右。 一般的应用中 IC 的驱动可以直接驱动 MOSFET ，但是考虑到通常驱动走线不是直线， 感量可能会更大，并且为了防止外部干扰，还是要使用 Rg 驱动电阻进行抑制。考虑到走线 分布电容的影响，这个电阻要尽量靠近 MOSFET 的栅极。 以上讨论的是 MOSFET ON 状态时电阻的选择，在 MOSFET O FF 状态时为了保证栅 极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小。通常为了保证快速泻放，在 Rg 上可以并联一个二