微电子专业级双专科微电子工艺期末考试A卷答案[汇编].pdfVIP

资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。 ～ 第二学期 微电子 专业 05 级双专科 《微电子器件工艺》 期末考试 A 卷 答案 班级 学号 姓名 成绩 一、 填空 ( 每空 1 分 ) 1、 直拉法制备单晶硅的过程是 : 清洁处理——装炉——加热融 化——拉晶 , 其中拉晶是最主要的工序 , 拉晶包括 下种 、 细颈 、 放肩、 等径生长 和收尾拉光等过程。 2 、 在 二 氧 化 硅 网 络 结 构 中 , 桥 联 氧 越 多 , 网 络 结 构 越 ( 紧密或疏松 ) ; 非桥联氧越多 , 结构越 ( 同上) 。 3、 掺杂技术包括有 热扩散 、 离子注入 、 合金 和中子嬗变等多种方法。 4 、 在有限表面源扩散中 , 其扩散后的杂质浓度分布函数符合 高 斯分布 ; 而在恒定表面源扩散中 , 其扩散后的杂质浓度分布函数符合 余 误差函数分布 。 5 、 在离子注入法的掺杂过程中 , 注入离子在靶中所受到的阻挡 机构有 电子阻挡 和 核阻挡 两种。 6 、 在离子注入后 , 一般采用退火措施 , 能够消除由注入所产生 的晶格损伤 , 资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。 常见的退火方式有 电子束退火 、 离子束退火 、 激 光退火 。 4 7、 工艺中常见磨角法测结深 , 常见的染色溶液是 硫酸铜 ( CuSO) 溶液。 8、 影响外延速度的因素有 质量转移速度 和 表面化学反应 速度 , 其中以较 慢 ( 快或慢 ) 者起决定的影响作用。 9、 外延工艺中 , 对氢气的纯度要求非常高 , 氢气的纯化可用 分 子筛吸附法 和 钯合金扩散法 。 10、 工艺中常见的测量二氧化硅厚度的方法有 比色法 和 双光 干涉法 。 11、 液态源硼扩散中常见的硼源是 三溴化硼 ( BBr 3 , 常见的液 态磷源是 三氯氧磷 ( POCl 3) 。 12、 乳胶版的显像原理包括照相潜影的形成、 显影 和 定 影 等几个过程。 13、 光学曝光分为 接触式把曝光 、 接近式曝光