硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究.pdfVIP

硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究· 王琪琨朱长纯史永胜 (西安交通大学电子与信信息工程学院，陕西西安710049) 摘 要本文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性，裂解法获 得的碳纳米管与玻璃粉等混合，研磨，直接涂敷在si基底上，二极管结构测量的结果表明，碳 纳米管厚膜有较低的开启电场(1．O一1．5 V／炉)。场强为5V／炉时，电流密度达到了50肚／cm2． 该工艺的烧结过程应控制好，加热时间稍长会使CNT厚膜的场发射性能很快下降，时间过长会使 CNT处在厚膜表面之下，无法有效发射电子．浆料中的玻璃粉比例增大时，碳纳米管阴极的场发 射性能会有所降低． 关键词碳纳米管厚膜，涂敷，粘结剂，场发射 文献标识码：A 中图分类号：0462．4 1 引言 场发射阴极是场发射平板显示器的核心部分。过去多用Si、Mo、金刚石等材料制成尖锥阵 列或薄膜作为场发射阴极。最近，碳纳米管(CNT)以优良的场发射特性受到人们的极大关注Ⅲ【2l， 碳纳米管较以往的场致发射阴极有更尖锐的发射尖端、更高的机械强度和化学稳定性，并且