5nm逻辑工艺流程中的光刻工艺设计.pdfVIP

5 nm逻辑工艺流程中的光刻工艺设计 （A Photolithography Process Design for 5 nm Logic Process Flow） 伍强，李艳丽，杨渝书，赵宇航 上海集成电路研发中心 Ken Wu, Yanli Li, Yushu Yang, Yuhang Zhao Shanghai ICRD IWAPS 2019年10月18 日南京 内容提要（Outline） • 简介 （Introduction） • 5 nm 逻辑工艺的设计规则范围 （Design Rule Ranges for the 5 nm Logic Process） • 5 nm 光刻工艺的选择方案 （A Strategy for the 5 nm Photolithographic Process Design ） • 极紫外光刻工艺与深紫外光刻的区别 （Difference between EUV Lithography and DUV Lithography） • k 值的差异 （Difference in k Value ） 1 1 • 阴影效应 （Shadowing Effect ） • 横向-纵向线宽的差异 （HV Linewidth Difference） • 掩模版三维散射效应 （Mask 3D Scattering Effect） • 光刻胶的吸收和显影随机涨落效应 （Absorption of EUV in the Photoresist and Stochastics ） • 线宽粗糙度的极限 （Limit in the Line Width Roughness—LWR） • 增强的像差影响 （Increased Impact of Aberration） • 当今极紫外光刻工艺的性能极限和在5 nm 工艺流程中的应用 （Current Capability of EUV Lithography and Its Application to the 5 nm Process Flow ） • X和Y方向剪切层和孔洞层 （X Y Direction Cut and Hole Layers ） • 典型光刻层显影后线宽和EL/对比度标准的选择 （Determination of Typical ADI Linewidth and EL/Contrast Target ） • 结论 （Summary） 简介（Introduction） 中国半导体论坛（China Semiconductor Forum) 5 nm 逻辑工艺的设计规则范围（Design Rule Ranges for the 5 nm Logic Process） 技术节点Technology 10 nm 7 nm 5 nm Node 鳍周期 33~42 27~30 22.5~25 Fin Pitch (nm) 接触孔-栅周期 Contact to Poly Pitch 66~68 54~56 44~50 (nm) 金属周期 44~48 36~40 30~32 Metal Pitch (nm) Sources: Wik