微电子工艺基的础掺杂技术.pptVIP

略爾濱z掌大学 第9章掺杂技术 徽电子工艺基础  第9章骖杂技求 本章目标: 1、熟悉掺杂技术的两种方式 2、熟悉扩散掺杂的原理 3、掌握离子注入相关概念及其原理 4、熟悉离子注入的工艺流程 5、了解离子注入系统的设备及其优点 微电子工业基础  第9章掺杂拔术 、扩散 二、高子注入技术 三、集成电路的形成 微电子工业基础  第9章骖杂技求 一、扩散 1、扩散原理 2、杂质在硅中的扩散 3、扩散设备与工艺 4、工艺质量检测 微电子工业基础  第9章骖杂技术 、扩散 1、扩散原理 扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺,在约 1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中,杂质向衬底 硅片的确定区域内扩散,达到一定浓度,实现半导体 定域、定量掺杂的一种工艺方法,也叫热扩散。 微电子工业基础  第9章杂技术 、扩散 1、扩原理 (1)扩散方式 ①固相扩散 扩散是一种自然现象,由物质自身的热运动引起 微电子工艺中的扩散是杂质在晶体内的扩散,因此 是一种固相扩散。 微电子工业基础  第9幸杂装术 、扩散 1、扩散原理(1)扩散方式 ②扩散的方式 晶体内扩散是通过一系列随机跳跃来实现的,这些跳跃 在整个三维方向进行,有多种方式,最主要有: A填隙式扩散 B替位式扩散 c填隙-替位式扩散 微电子工业基础