微电子10si片制造中污染控制精析.pptVIP

污染控制 为使芯片上的器件功能正常,避免硅片制造中的沾污 是绝对必要的。随着器件关键尺寸缩小,对沾污的控制要 求变得越来越严格。将学习硅片制造中各种类型的重要沾 污、它们的来源以及怎样有效控制沾污以制造包含最小沾 污诱生缺陷的高性能集成电路。 个硅片表面具有多个微芯片,每个芯片又差不多有 数以百万计的器件和互连线路,它们对沾污都非常敏感。 随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求 而缩小,控制表面沾污的需求变得越来越关键(见图) 为实现沾污控制,所有的硅片制备都要在沾污控制严格的 净化间内完成 表面污染物 嵌进的微粒  现代半导体制造是在称为净 化间的成熟设施中进行的。 这种硅片制造设备与外部环 境隔离,免受诸如颗粒、金 属、有机分子和静电释放 (EsD)的沾污。一般来讲, 那意味着这些沾污在最先进 测试仪器的检测水平范围内 都检测不到。 净化间还意味着遵循广泛的 规程和实践,以确保用于半 导体制造的硅片生产设施免 受沾污。  沾污的类型 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微 芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。将主要集中于 制造工序中引入的各种类型的表面沾污。 制造经常导致有缺陷的芯片。致命缺陷是导致硅片上的芯 片无法通过电学测试的原因。据估计80%的芯片电学失效 是由沾污带来的缺陷引起