薄膜生长第章.pptVIP

4.2.1.2 Si(111)－(7×7) 由于缺少最上层原子，在平行四边形的顶角和边上形成深空位(图6.2.7(b)的圆圈和椭圆圈)。在每个亚元胞区域中，在铺满原子的表面层上有6个添加原子。这12个原子都与下面第一层的6个原子成键，因而每个增原子都有一个未饱和的悬键。 4.2.1.2 Si(111)－(7×7) 在第一层原子中，除了18个原子与增原子成键外，还剩下6个未成键的原子，称作剩原子(rest atoms)(图6.2.6的(a)，(b))，一半剩原子在有层错的亚元胞中，另一半在无层错的亚元胞中，它们都具有悬键。 4.2.1.2 Si(111)－(7×7) 第一个亚原胞的边上的第三层原子有9个二聚体键(图6.2.7(b)双线表示)。这是由于第二层原子偏离正常位置所引起的。DAS模型的主体目前已得到普遍承认，但有一些细节，例如顶角空位，计算值比实验值稍深一点，这可能是STM针尖不能探测这小而深的空位所产生的。关于怎样形成这种复杂结构的机制问题，目前还未见有研究的报导。 4.2.2 Si(001) 1959年Schlier和Farnsworth就根据LEED的l/2分数斑点提出了一个Si(001)的二聚体模型。由于LEED中有时还出现1/4分数的斑点，此模型和其他模型经过长期比较，才慢慢占了上风，但在二聚体是对称的还是扭曲的方面还无定论。 4.2.2 Si(001) 实际上对称的二聚体链(为主)和扭曲的二聚体链同时存在，前者的晶胞是(2×1)、后者的晶胞则可以是(2×2)和(4×2)(STM观察结果)。 4.2.2 Si(001) 图4.3是对称的二聚体模型。将俯视图和侧视图(下部)综合在一起可以看到(1×1)结构每一顶层原子和第二层原子形成两个键，这样每一顶层原子还有二个悬键。顶层原子为减小能量两两靠近形成(2×1)再构表面中的二聚体链，使每一个原子减少一个悬键，形成五原子环，同时表面晶胞扩大一倍成为(2×1)晶胞。 4.2.2 Si(001) 4.2.2 Si(001) 扭曲二聚体的一种模型见图4.4，图中二聚体的一个原子(大圆圈)上升，使第二层两个原子靠近(见图中箭头)，相反地另一原子(和大圆圈横向相邻的中圆圈)下降使第二层两个原子离远一些(见图中箭头)，扭曲二聚体链在STM像上显示为锯齿形，相邻的扭曲二聚体链可以形成(2×2)或c(4×2)晶胞(后者更多些)，它们引起LEED的l/4和1/2分数的衍射斑点。 4.2.2 Si(001) 4.2.2 Si(001) 二聚体引起的电子结构的变化见图4.5，(a)中二聚体未形成，每个顶层原子有二个悬键，形成四重简并。(b)中已经形成对称二聚体，每个顶层原子的一部分电子云并入五原子环中，相当于形成了σ键和反σ*态。每个顶层原子各保留一个悬键。 4.2.2 Si(001) 4.2.2 Si(001) (c)中相邻悬键已形成π键和反π*态，此时π键和反π*态之间出现小小的能隙，此时表面已经不显示金属性，这和光电子谱结果相符。(d)中扭曲二聚体形成，使悬键能级距离增大，电子云分布也不再对称，上升的悬键DBU的能级低于下降的悬键DBU，使电子云向上升悬键集中。 薄膜与表面物理 第四章再构表面和吸附表面 第四章 再构表面和吸附表面 表面的出现破坏了晶体的三维平移对称性，因此它本身就是一种晶体缺陷。 表面的出现伴随着大量悬键的出现。为了降低表面能，表面上原子会改变其组态力图使表面能有所降低。发生弛豫和再构。 第四章 再构表面和吸附表面 表面的几层原子之间的距离发生变化以降低表面能的现象叫表面弛豫现象。 表面原子重新成键、从而改变表面的平移对称性，形成再构表面的现象叫表面再构。 第四章 再构表面和吸附表面 表面吸附一些原子后也有利于表面能的降低，表面吸附一些原子后表面的周期性也会发生变化，形成吸附表面。 所以表面出现破坏了晶体的三维对称性后会发生三种现象：表面弛豫、表面再构和表面吸附。 4.1 再构表面和吸附表面的标记 4.1.1 三个概念 理想表面：几何面切开后表面。 清洁表面：在超高真空(UHV)系统中经过离子轰击后杂质含量小于10－3的晶体表面，一般已发生再构。